全差分放大器版图后仿真结果与前仿差距很大

Lin26 · 发表于 2020-11-13 21:11:31

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放大器是全差分的折叠式共源共栅放大器，共模反馈用的是DDA结构，SMIC工艺，电源电压3.3V。前仿dc开环时，输入1.65V，输出电压正常情况下应该都是1.65，但是后仿真输出一端是0.4V，另一端是1.8V，我的理解后仿真时会有有器件的失陪导致一端电压接近gnd，另一端接近vdd。
然后下面是放大器的AC仿真，红线是前仿，绿线是后仿，增益下降很多

AC仿真环境
后仿放大器闭环仿真dc时，输入1.65V，其输出电压可以稳定在共模值1.65左右
后仿瞬态，输入为正弦波dc1.65，ac1V的正弦信号，输出就失真了，并不是一个正弦波

放大器闭环仿真环境

Lin26 · 发表于 2020-11-14 11:14:46

求助，大佬们

猴子砍树 · 发表于 2020-11-14 19:43:33

方便看下版图吗？

cherry_li · 发表于 2020-11-16 14:10:33

用的什么工艺？先进工艺要特别注意二阶效应，看是不是二阶效应失配引起的，或者前仿时管子的WPE/LOD/PSE/OSE的设置太理想化。建议可以先提取NORC的后仿网表确认是不是R/C引起的，如果不是再关注关键MOS管的二阶参数与前仿的差异~

Lin26 · 发表于 2020-11-16 15:40:20

cherry_li 发表于 2020-11-16 14:10
用的什么工艺？先进工艺要特别注意二阶效应，看是不是二阶效应失配引起的，或者前仿时管子的WPE/LOD/PSE/OS ...

您好，用的是SMIC180nm的工艺，现在确认是寄生电阻的产生的影响，请问做全差分放大器时除了输入对管、偏置电流镜NMOS管和PMOS管，其它的管子需要做匹配吗。管子的WPE/LOD/PSE/OSE这些参数是什么意思，谢谢

cherry_li · 发表于 2020-11-17 11:52:17

180nm工艺就不用考虑二阶效应了，WPE这些都不用管了。全差分的设计就是需要整个差分通路都要匹配的，除了器件匹配，连线也需要匹配，差分信号的寄生R/C应该也是匹配的。

Lin26 · 发表于 2020-11-25 14:59:01

本帖最后由 Lin26 于 2020-11-25 15:02 编辑

您好，请问这个信号线匹配大概是如何实现，我现在画的版图可以实现器件的匹配，但是信号线的对称很难去做，下图是全差分放大器的原理图包含了共模反馈

蛋zizi · 发表于 2020-11-26 13:28:37

我想请问一下我是刚刚工作的layout版图工程师后仿的话版图能不能去学习想去拓展一下版图工作多学一些

月夜之狼 · 发表于 2021-11-11 18:46:49

我也遇到了应该是版图不匹配造成的

Sarahlln · 发表于 2023-6-13 10:12:46

cherry_li 发表于 2020-11-16 14:10
用的什么工艺？先进工艺要特别注意二阶效应，看是不是二阶效应失配引起的，或者前仿时管子的WPE/LOD/PSE/OS ...

请问二阶效应怎么在版图前进行考虑？我使用的是22nm工艺，NO RC提取出的运放网表（cascode结构）做后仿，就已经和前仿有极大差距（直流增益从75dB降低到26dB).同样的流程跑PTAT的后仿，就差距不大，应该不是流程问题。

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