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楼主: weishutao

[求助] 关于LDO密勒补偿电容大小的问题

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 楼主| 发表于 2020-8-25 12:21:54 | 显示全部楼层
这个电阻的作用是给M7buffer在低负载下提供电流的。就相当于一个电流源,你用MOS管做也还可以。
 楼主| 发表于 2020-8-25 12:26:54 | 显示全部楼层


苏AE86 发表于 2020-8-25 10:03
pf的milier补偿电容没问题,但是你这个负载电流做得有点太小了吧


250mA还小吗,我去网上看的产品大都是250mA-300mA的LDO。
所实话我对LDO的分类一点都不懂,我看帖子有做几A的。
发表于 2020-8-25 13:18:26 | 显示全部楼层


染纱 发表于 2020-8-25 11:58
如果把差分对两输入端对调,M7管我用NMOS,就是把NMOS的漏和上面自偏置PMOS相连,NMOS的漏需要像这样再接 ...


好像就不需要了吧
发表于 2020-8-25 13:18:54 | 显示全部楼层
噢噢,骚瑞,没仔细看,那没事了
发表于 2020-8-25 13:19:58 | 显示全部楼层


weishutao 发表于 2020-8-25 12:26
250mA还小吗,我去网上看的产品大都是250mA-300mA的LDO。
所实话我对LDO的分类一点都不懂,我看帖子有做 ...


LDO的输出电流主要还是看应用场所,没有绝对的大小可以说吧,几百毫安是很常用的
发表于 2020-8-25 13:22:38 | 显示全部楼层


weishutao 发表于 2020-8-24 23:44
还有一点是,不加Miller电容能提高环路稳定性吗?
我外面挂的有一个uF级的解耦电容 ...


可以呀,这不就是传统意义上的esr补偿吗,可以利用大电容串联一个几百毫欧的电阻提供一个零点来与次主极点进行抵消,以实现相位裕度的提高
 楼主| 发表于 2020-8-25 13:34:20 | 显示全部楼层
嗯嗯,谢谢
发表于 2020-8-25 14:00:40 | 显示全部楼层
miller电容上串一个100k~M级的电阻,在UGF附近塞个零点,环路也可以稳定
发表于 2020-8-25 14:14:55 | 显示全部楼层


xuexiic.. 发表于 2020-8-25 13:18
好像就不需要了吧


我之前做的LDO和楼主结构一样的,,就是M7用的NMOS,,但是空载的时候输出直接被拉到了供电,,像楼主这样接了一个电阻就好了,,但是我一直没有理解它的原理。。。
发表于 2020-8-25 14:43:31 | 显示全部楼层
这种结构的LDO,其PM随着Iload的变化并不是单调的,当Iload由小到大时,PM先变小然后变大,对应的极点关系就是Iload比较小时,主极点在片外,当Iload比较大时,主极点在片内。所以需要扫一下Iload变化范围,这样才能找到最worse的PM,保证整体系统的稳定性。另外说一句,20pF的compensation cap不是不可以但是考虑到面积和SR,还是有点大了。
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