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[求助] 负电压出IO环的问题

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发表于 2020-6-22 13:32:38 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 nm2012 于 2020-6-22 13:35 编辑

IO环上面是有两到三圈的环电压和环地的,一般是TAVDD,TAVSS,而后每个IO pad都会通过pclamp或者dio连接到环上的电源和地上做ESD保护,那么现在如果我芯片需要一个负电压输入(比芯片内衬底电压低的电压),IO PAD该如何处理呢,我现在的做法是将库中自带的IO PAD去除一些dio,譬如如果是-0.5V电压输入,我就撤掉IOPAD上对应到TAVSS的dio只保留到TAVDD的dio。仿真是没太大问题的,但是我不清楚这样做会不会有什么后果,想请问一下各位大神一般是怎么处理这种情况的,因为我看了一些论文和芯片手册确实是有这种负压输入的芯片。谢谢了!顺便问一下,如果是负电压输入,PCLAMP PAD该如何接(TSMC28),我看PCLAMP内的NMOS是做在衬底上而不是DNW中的。


发表于 2020-6-22 17:54:48 | 显示全部楼层
负电压出现在nmos上,肯定需要nmos在dnw中了,dnw接gnd或vcc,看电压要求了。
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发表于 2020-11-21 12:58:10 | 显示全部楼层
请问 PSUB =0

输入负压 那ESD DIODE 不就导通?
还是说负压IC 设计上  不能用PSUB



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发表于 2023-12-12 17:35:18 | 显示全部楼层


   
fengluan83 发表于 2020-6-22 17:54
负电压出现在nmos上,肯定需要nmos在dnw中了,dnw接gnd或vcc,看电压要求了。


大佬麻烦问下这个负压电荷泵电容两端的ESD要怎么设计
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发表于 2024-4-24 10:36:37 | 显示全部楼层
您好,我也遇到了需要输入负压的问题,我需要给core一个-660mV的电压,请问您当时是怎么给的负压?
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发表于 2024-4-24 15:14:57 | 显示全部楼层
本帖最后由 metotj 于 2024-4-24 15:16 编辑

一般做IO对VDD的ESD防护,去掉IO对VSS的ESD防护。
或者有条件的(NMOS可以做到DNW里,BULK做成可调的),也是可以做对地的ESD,确保负电压输入不会漏电即可。
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