施密特触发器哪里需要注意预防闩锁

jueduilk

843071455 发表于 2022-1-7 08:00
还有发现损坏的地方就是nmos接vdd的一端，并不是在你分析的latchup的路径有损坏，虽然按照你分析的latch ...

我和你的想法一样 这种特殊接法是为了防止ESD 把那两个MOS打坏，加电阻就是为了限流，也可以不用电阻，用一个常通的mos替代。和latch up没啥关系。

13728688465

xingmem 发表于 2022-2-9 10:25
有两年多没登陆eetop了，看见你们讨论这个问题蛮有意义的；
这个问题是因为相同类型管子一端接最高电位与临 ...

请教一下，他的电路已经加了电阻了，是不是情况也比较好一些。可以不用像你所说的那样拉开了？

level90

xingmem 发表于 2022-2-9 10:25
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这个问题是因为相同类型管子一端接最高电位与临 ...

正解！寄生BJT会导致latchup。

xixixitantan

不知道这样的理解对不对，首先这种接法在正常上电的时候不会出现latch up对于NMOS来说，source端的电压高于body端电压，source与drain与衬底之间的二极管均为反偏状态，且不容易形成latch up,电阻的引入主要是用来解决ESD的二级防护使用，防止ESD状态下，因为常规状态下，NMOS的S和B端钳在VDD上，如果POWER-GND的clamp结构不能及时将ESD电流泄放，那么ESD的冲击可能来到SMIT端，因此较容易产生由雪崩击穿导致的SCR开启烧毁器件。

huangzg

xingmem 发表于 2022-2-9 10:25
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这个问题是因为相同类型管子一端接最高电位与临 ...

学习了

神采-飞扬

好问题 学习学习

hyliu1996

好问题，学习了