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楼主: Quinn714

[求助] 施密特触发器哪里需要注意预防闩锁

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发表于 2020-8-12 20:55:30 | 显示全部楼层
有没有流过片的大佬 请问一下闩锁发生地概率大么;我最近画了一个数字电路,只是在外面画了一个大的guardring
发表于 2020-8-14 09:46:41 | 显示全部楼层


Yates 发表于 2020-8-6 15:19
你把那两个电阻拿掉换成导线,在分析分析


能否讲讲施密特发生闩锁的原理,以及如何预防呢?
发表于 2020-8-17 00:17:19 | 显示全部楼层
學習了
发表于 2020-8-17 15:59:13 | 显示全部楼层


843071455 发表于 2020-8-8 20:13
没听过加电阻是为了防闩锁,我们加电阻主要是防esd。当然加不加电阻防esd也要看电源的情况,也不是必须加, ...


打ESD为啥有时会把这边打坏想过没?

发表于 2020-8-17 22:48:46 | 显示全部楼层


jfxyl 发表于 2020-8-17 15:59
打ESD为啥有时会把这边打坏想过没?


你可以通过电源到地的esd路径去分析,一种情况是vdd为io端口,一种是vdd为内部电源,两种情况相比第一种风险更大,这两个管子都属于特殊接法,正常应该是pmos接电源,nmos接地。
发表于 2020-8-17 23:44:57 | 显示全部楼层
感谢分享
发表于 2021-2-23 09:57:00 | 显示全部楼层
加电阻虽然不是破坏闩锁结构,但是可以限流,也是一个手段
发表于 2021-2-23 11:06:28 | 显示全部楼层
你画的剖面图贴下出来,干讲你听的累,我们讲的也累
发表于 2021-3-1 10:15:32 来自手机 | 显示全部楼层
为啥?M4 .M5为啥
发表于 2021-3-1 21:49:46 | 显示全部楼层
謝謝
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