施密特触发器哪里需要注意预防闩锁

麦乐鸡 · 发表于 2021-3-3 09:11:41

843071455 发表于 2020-8-17 22:48
你可以通过电源到地的esd路径去分析，一种情况是vdd为io端口，一种是vdd为内部电源，两种情况相比第一种 ...

jfxyl的意思应该是发生esd时，vdd进来大电流然后打到下面nmos的源端，使得源衬反向击穿，使寄生scr开启正反馈然后烧毁，即esd打坏的原因是闩锁效应。然后这两个电阻也是起限流作用。
--来自小白的猜测

Andy126 · 发表于 2022-1-3 19:41:46

843071455 · 发表于 2022-1-4 12:47:46

麦乐鸡发表于 2021-3-3 09:11
jfxyl的意思应该是发生esd时，vdd进来大电流然后打到下面nmos的源端，使得源衬反向击穿，使寄生scr开启正 ...

你来讲一讲esd发生时，vdd进来大电流使源衬反向击穿后，哪个寄生scr会开启？能够上个图分析一下？不要张口就来scr开启？

fzu_physics · 发表于 2022-1-5 18:12:48

843071455 发表于 2022-1-4 12:47
你来讲一讲esd发生时，vdd进来大电流使源衬反向击穿后，哪个寄生scr会开启？能够上个图分析一下？不要张 ...

从VDD进来正的ESD时，通过M4 N+与Psub反向击穿，向Psub注入电流，抬高了Psub电位，Psub电位被抬高到大于0.7V，M3寄生的NPN打开，从Nwell抽电流，Nwell中电流产生压降，压降0.7V时，寄生的PNP也就打开，latchup原理

fzu_physics · 发表于 2022-1-5 18:20:00

843071455 发表于 2022-1-4 12:47
你来讲一讲esd发生时，vdd进来大电流使源衬反向击穿后，哪个寄生scr会开启？能够上个图分析一下？不要张 ...

击穿大电流抬高Psub电位>0.7V，使M3寄生的NPN打开,从Nwell抽电流，电流在Nwell中产生压降，压降>0.7V, P+/Nwell/Psub寄生的PNP也打开，向Psub注入电流，大致就这条SCR通道产生latchup

843071455 · 发表于 2022-1-7 06:25:22

fzu_physics 发表于 2022-1-5 18:20
击穿大电流抬高Psub电位>0.7V，使M3寄生的NPN打开,从Nwell抽电流，电流在Nwell中产生压降，压降>0.7V, P+ ...

你讲的的这个路径是可以,这个路径发生闩锁的原理和反相器会发生闩锁的原理是类似的，但我理解的意思是他说的scr路径是指的会在M4，M5这两个管子上，并不是scr路径在其它管子上，所以我才说让他分析分析，难道我理解错他的意思了？

843071455 · 发表于 2022-1-7 06:30:12

843071455 发表于 2022-1-7 06:25
你讲的的这个路径是可以,这个路径发生闩锁的原理和反相器会发生闩锁的原理是类似的，但我理解的意思是他 ...

其实就和前面说的一样，纠其原因还是pmos接gnd，nmos接vdd，这种接法本身就属于特殊的接法，出现这种接法时就要特别注意，特殊处理。

843071455 · 发表于 2022-1-7 08:00:20

843071455 发表于 2022-1-7 06:25
你讲的的这个路径是可以,这个路径发生闩锁的原理和反相器会发生闩锁的原理是类似的，但我理解的意思是他 ...

还有发现损坏的地方就是nmos接vdd的一端，并不是在你分析的latchup的路径有损坏，虽然按照你分析的latch的路径是可以形成的，但我还是更倾向于防esd，而不是防latch,我认为不加电阻，esd容易把接在vdd一端的nmos直接干坏掉！

xingmem · 发表于 2022-2-9 10:25:53

有两年多没登陆eetop了，看见你们讨论这个问题蛮有意义的；
这个问题是因为相同类型管子一端接最高电位与临近相同类型管子接最低电位，构成的NPN和PNP都很容易被触发导通形成的风险；
解决办法是要接电源或者接地的NMOS/PMOS的一端远离相同类型器件的地或者电源；

mary1103 · 发表于 2022-2-19 23:34:00

学习了，谢谢~

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