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[求助] 蒙特卡洛仿真pdk选择mc模型吗【已解决】

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发表于 2020-5-14 17:47:26 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 xuwenwei 于 2020-5-14 18:35 编辑

正在做蒙特卡洛仿真,如果pdk中mos模型选tt也是可以跑蒙特卡洛的(不知这个里面怎么运作的),但是差异会小(vth差异20mV),如果pdk中mos选择mc模型,跑蒙特卡洛,差异会很大(vth差异会到70mV),因为正常的vth差异在30mV左右吧,那跑mc模型的话差异会很大,电路根本不能用了,所以发贴询问大神,跑蒙特卡洛的时候怎么选的?是不是选择tt跑蒙特卡洛就可以仿真tt情况下的missmatch了? 那选择mc模型的话 是不是就是tt ff ss fs sf这些整个的一个missmatch?
 楼主| 发表于 2020-5-14 18:35:01 | 显示全部楼层
刚刚看了pdk里面的算法,应该选择tt的时候已经有个sigma参数在里面了,所以tt可以跑,选mc的话应该就是上面说的整个的,所以应该单独跑 tt  ff  ss情况下的蒙特卡洛。
发表于 2020-5-15 09:01:29 | 显示全部楼层
楼上的是在哪个节点工艺 model 有多少cor呢?
 楼主| 发表于 2020-5-15 13:57:43 | 显示全部楼层


66260001 发表于 2020-5-15 09:01
楼上的是在哪个节点工艺 model 有多少cor呢?


.18  有5个corner
发表于 2020-5-15 14:20:24 | 显示全部楼层


xuwenwei 发表于 2020-5-15 13:57
.18  有5个corner


如果是五个cor  那么你在ff 或者ss run 的mc 有点不太理解  常规来讲ff ss 应该是器件的两个极端情况了,在极端情况上在加入MC是不是run出来的值会很大,而实际上器件的偏差并没有这么大?
 楼主| 发表于 2020-5-15 15:32:02 | 显示全部楼层


66260001 发表于 2020-5-15 14:20
如果是五个cor  那么你在ff 或者ss run 的mc 有点不太理解  常规来讲ff ss 应该是器件的两个极端情况了, ...


模型里面的tt的mc参数就比 mos_mc的参数相对简单很多,所以变化量很小的。
单纯跑某一个corner的mc,变化不会很大的。
发表于 2020-5-19 13:17:08 | 显示全部楼层
是corner的选择中有一个mc
发表于 2021-4-2 11:07:50 来自手机 | 显示全部楼层
请教一下蒙特卡洛仿真的方法,想仿真一下失调电压
 楼主| 发表于 2021-4-2 16:33:10 | 显示全部楼层
你用specture的话需要pdk中model支持,用ade_xl仿真,如果hspice的话 你要用语句来仿真
发表于 2021-4-2 16:55:34 | 显示全部楼层
看工艺节点吧,也看模型做法。老的工艺节点,带统计模型的,只是单纯的Mismatch,严格意义上在FF/SS再跑,是OVERDESIGN了。

器件统计上的VARIATION,是按intra die,die to die , wafer to wafer, lot to lot区分的,intra die可以认为是模拟比较关心的mismatch,也称作local variation;后面三种统一认为是global variation,而total variation就是这两者的统计均方和,TOTAL^2=LOCAL^2+GLOBAL^2.

传统的TT/FF/SS其实就是total variation的3 sigma,所以在这基础上再做Mismatch,肯定就overdesign了。但传统的5个CORNER的模型本身也没太好的方法,或者说老工艺相对VARIATION小,做做TT+mistach应该够了。

新的9个CORNER的模型,可以选择TT条件下做global+local的蒙卡,也可以选择在FFG/SSG条件下,做local的蒙卡,一般情况下,两种方法结果是可比的。
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