请教boosttraped swith MOS管耐压问题，感激不尽！！！

longqingshan · 发表于 2020-4-2 14:19:27

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本人现在做SAR ADC，采样开关用boost traped nmos switch，NMOS开关开启的时候栅极和衬底间电压会比较大，极限到到2VDD，这样器件会不会击穿？

我用的是1.8V器件，工艺电气规则中只说了 VGS，VDS，VBS的偏置范围。那是不是意味着器件满足这三个电压就可以了？上述的NMOS VGB达到3.6V也不会存在可靠性问题？

从理论上说，即使 VGB达到3.6V，栅极与沟道间电阻依然小于等于1.8V，应该不会有问题。

jamesccp · 发表于 2020-4-2 15:27:37

没问题的

longqingshan · 发表于 2020-4-7 16:03:21

jamesccp 发表于 2020-4-2 15:27
没问题的

谢谢！！

sding · 发表于 2020-9-16 11:35:28

为什么vgb之间不受1.8v限制

quantus · 发表于 2020-9-16 14:16:04

栅和衬底之间距离比较大，所以即使电场强度超过2倍电源电压实际上侧向电场强度也不是很大。我们也问过fab是否会有问题，他们的答复很官方，有人用但是他们不保证没有问题。

a1054958688 · 发表于 2021-1-23 14:18:47

sding 发表于 2020-9-16 11:35
为什么vgb之间不受1.8v限制

沟道被打开后vgb不再受1.8V限制，转变为vgs与vbs各自的耐压！

风吹荷叶e · 发表于 2021-10-12 20:01:27

quantus 发表于 2020-9-16 14:16
栅和衬底之间距离比较大，所以即使电场强度超过2倍电源电压实际上侧向电场强度也不是很大。我们也问过fab是 ...

请问栅极和衬底之间的距离跟栅极和源极之间的距离不是一样的吗？

风吹荷叶e · 发表于 2021-10-12 20:16:52

本帖最后由风吹荷叶e 于 2021-10-12 20:19 编辑

风吹荷叶e 发表于 2021-10-12 20:01
请问栅极和衬底之间的距离跟栅极和源极之间的距离不是一样的吗？

结合6楼的观点，好像就能解释通了。

参考 http://bbs.eetop.cn/thread-857105-1-1.html?_dsign=603e694b

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