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[求助] tox=26A MOS管耐压 |
100资产
最佳答案(1)1.2V bootstrap到2.4V是没有问题的,在bootstrap时候,source/drain=1.2V, gate=2.4V, bulk=0V,oxide下方的处于强反型,沟道电位1.2V, gate oxide 承受1.2V,沟道到衬底的耗尽层承受1.2V,所以开关不会有问题,反而是reset 到地的一个nmos需要做overstress 的保护。
(2)1.2V提到1.4V这是个可靠性问题,在你做实验时短期升压时没问题的。如果需要详细数据,可以参考fab的reliability数据,TSMC的通常在design rule的reliabi ...
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发表于 2019-4-28 18:40:00
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发表于 2019-4-28 20:02:13
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发表于 2021-5-28 18:40:58
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