GGNMOS柵端接电阻串联到地上作用？

神谕_520

MicroEpzc 发表于 2021-8-11 16:53
您好，您的回答非常精练，还是有太多不懂得地方，比如为何串电阻就降低了Vt？还能麻烦您细说一下吗？
...

可以参考知乎里的一篇文章，链接如下
ESD MOS器件中的栅耦合技术 - 知乎 (zhihu.com)

晴冷天吻雪

我自己的理解如下，欢迎指正。
当ESD脉冲来临时，由于栅电容的存在(Cgs以及交叠电容等寄生电容)，电容两端电压不能突变，会在gate上耦到一定电压。如果是GGNMOS，这个电压被short到地。但如果此刻在gate上连接一个电阻，可以形成栅电流，形成栅压降，Vgs大于0可以让沟道有电流。ESD event早期，电阻的存在可以减小栅极所需要承受的电压，并且能够提供一定的栅极电流，更快地开启。等到MOS中的寄生npn开启，这个沟道电流的占比可能就不大，ESD电流的主路径仍然是npn.

江湖人92

andyjackcao 发表于 2019-12-19 20:28
ESD设计成GGNMOS结构时，柵端串联电阻接到GND上，这个电阻的作用是什么？
耦合一个电压，让VT1比没有电阻的 ...

为什么是diff电阻？我看到大多数情况下用的还是poly 电阻。两者有什么区别吗？

andyjackcao

江湖人92 发表于 2022-2-11 13:42
为什么是diff电阻？我看到大多数情况下用的还是poly 电阻。两者有什么区别吗？
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2.对gate oxide有一定的保护作用

江湖人92

andyjackcao 发表于 2022-2-12 17:46
2.对gate oxide有一定的保护作用

还是不太明白，diff电阻对gate oxide的保护作用是什么原理？兄台能否再详细解释下 不胜感激！

zdl1986

学习学习

andyjackcao

江湖人92 发表于 2022-2-13 12:49
还是不太明白，diff电阻对gate oxide的保护作用是什么原理？兄台能否再详细解释下 不胜感激！
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diff -resistor有寄生DIO，可以保护oxide。
当然这个DIO设计，需要注意其自身的ESD能力