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andyjackcao 发表于 2019-12-19 20:28 ESD设计成GGNMOS结构时,柵端串联电阻接到GND上,这个电阻的作用是什么? 耦合一个电压,让VT1比没有电阻的 ...
神谕_520 发表于 2021-7-25 18:48 1.栅耦合,降低trigger电压;gate端的电阻越大理论上trigger电压越低。2.对gate oxide有一定的保护作用 ...
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