mos器件工作在饱和区为什么有电流，而且电流还不变

hlhlhlh · 发表于 2019-8-28 19:54:41

taweqa 发表于 2019-8-28 13:36
书上写的：夹断区内形成了较强的横向电场。这时电子沿沟道从源极运动，达到夹断区边缘时，很快飘移到漏极。 ...

谢谢回复我觉得有点懂得感觉了、

phoenixson · 发表于 2019-8-28 23:35:10

hlhlhlh 发表于 2019-8-28 15:50
我懂了就是说漏级电压就算是很大但是对沟道起作用的就是那固定不变的vgs-vth，所以这个时候漏级电流的 ...

差不多是这样，如果想搞透彻建议看看mosfet电流模型和萨支唐公式

taweqa · 发表于 2019-8-30 13:51:50

详见附件，看完你就懂了。VDSsat为MOSFET的饱和电压，进一步增加VDS，但是沟道上电压任为VDSsat，这就是id始终保持不变的原因。（忽略沟道效应，就算不忽略，id的变化也很小）。MOS器件是属于电压控制电流器件。

taweqa · 发表于 2019-8-31 21:43:54

这样就清楚了：书上写的：当VDS继续增大时，夹断点由漏极向源级移动，这时增加的VDS，几乎都降落在漏极与夹断点之间的高阻层上，因此当沟道被夹断后，再增加VDS时，IDS基本上保持不变。。。详见附件!!!!!
我不知楼主所说的空间电荷区是否是我所说的漏极与夹断区之间的高阻层？？？？

taweqa · 发表于 2019-8-31 21:57:02

最后再补充一点，为何电子在夹断区边缘会漂移到漏极：因为电子已经获得足够的速度冲过去。

taweqa · 发表于 2019-9-27 15:34:06

最后再补充一点，平时没注意到的地方，MOS管工作时候会形成耗尽层。如图：

lynker · 发表于 2021-11-16 15:12:33

taweqa 发表于 2019-8-31 21:43
这样就清楚了：书上写的：当VDS继续增大时，夹断点由漏极向源级移动，这时增加的VDS，几乎都降落在漏极与夹 ...

请问下，截图中的解释出自哪本书？谢谢！

ryan0209 · 发表于 2025-1-16 19:22:48

taweqa 发表于 2019-8-28 13:36
书上写的：夹断区内形成了较强的横向电场。这时电子沿沟道从源极运动，达到夹断区边缘时，很快飘移到漏极。 ...

这是哪本书啊？谢谢

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