mos器件工作在饱和区为什么有电流，而且电流还不变

hlhlhlh

我是菜鸟 提前声明一下，我想问一下，mos管在没形成导电沟道的时候是在截止区，也就是这个器件是没有用的，然后当栅极电压到达了阈值电压器件会进入到线性区，再然后当漏级电压高的时候（nmos），高到一定的程度器件会进入饱和区，到达饱和区的时候漏级电流会是一个定值，我这里就会有一个疑问，既然到达饱和区的时候，导电沟道会向源级移动，也就是说漏级那块就没有了导电沟道，按理来说，这个时候沟道不形成，那么电流没有载体，应该电流为0，可是为什么是一个比较稳定的值？？？

hlhlhlh

没人吗？我自己问一下

phoenixson

在夹断的地方虽然没有沟道，但是形成了耗尽区，会有空间电场存在，这时电子会在空间电场作用下被扫到漏极

xiayonglu

空间电场存在，导致载流子的复合

hlhlhlh

phoenixson 发表于 2019-8-27 09:42
在夹断的地方虽然没有沟道，但是形成了耗尽区，会有空间电场存在，这时电子会在空间电场作用下被扫到漏极 ...

谢谢回复 好像明白了一点 电流就是通过电场的作用将载流子移动 所以在耗尽区的场作用下 剩下的沟道的电子或者空穴被推动 然后就会产生电流 可是为什么电流是一个基本固定的值呢？？ 还是有不解 望回复 谢谢

phoenixson

hlhlhlh 发表于 2019-8-27 19:57
谢谢回复 好像明白了一点 电流就是通过电场的作用将载流子移动 所以在耗尽区的场作用下 剩下的沟道的电子 ...

这个电流公式 是根据萨之唐定理推出的，那个公式给出了线性区和饱和区的公式，在进入饱和区后，电流大小基本由栅源电压决定，而漏源电压的影响很小（沟道调制作用）

taweqa

书上写的：夹断区内形成了较强的横向电场。这时电子沿沟道从源极运动，达到夹断区边缘时，很快飘移到漏极。详见附件

phoenixson

phoenixson 发表于 2019-8-28 13:32
这个电流公式 是根据萨之唐定理推出的，那个公式给出了线性区和饱和区的公式，在进入饱和区后，电流大小 ...

补充一下，夹断点电压始终是VGs-Vth,如果VDS比这个值大，就会形成空间电荷区，随着逐渐增大VDS，空间电荷区就变大，而沟道电流由夹断点的电压决定，所以基本保持不变

hlhlhlh

phoenixson 发表于 2019-8-28 13:37
补充一下，夹断点电压始终是VGs-Vth,如果VDS比这个值大，就会形成空间电荷区，随着逐渐增大VDS，空间电荷 ...

我懂了 就是说漏级电压就算是很大 但是对沟道起作用的就是那固定不变的vgs-vth，所以 这个时候漏级电流的大小就主要与vgs相关，而漏级电压剩下的电压都作用到了空间电荷区内 ，它变大只影响了空间电荷区的大小，如果漏级电压再大，大到空间电荷区占满了整个沟道，再稍大一点点，这个时候mos器件就会横向击穿

hlhlhlh

phoenixson 发表于 2019-8-28 13:37
补充一下，夹断点电压始终是VGs-Vth,如果VDS比这个值大，就会形成空间电荷区，随着逐渐增大VDS，空间电荷 ...

是我那样理解的吗？ 谢谢指导