NMOS LDO电流检测电路

acging

斩空无语 发表于 2019-6-29 16:40
谢谢回复，论文中的current sense电路要VBAT电位比VIN电压高2V多。如果是这样，直接用PMOS管+NMOS就可以 ...

那不用电荷泵，如何用nmos做到200mv dropout呀？

斩空无语

acging 发表于 2019-7-1 08:53
那不用电荷泵，如何用nmos做到200mv dropout呀？

没说明白，电荷是需要，但是镜像电流不能从电荷泵那里取电。

peterlin2010

斩空无语 发表于 2019-7-1 09:16
没说明白，电荷是需要，但是镜像电流不能从电荷泵那里取电。

应该把NMOS 的 GATE 拉上去, 但流大电流还是大的nmos不是 电荷泵 , 类似 boostrap 方式 , dc2dc 如果 是N+N , 须boostrap  or chargePump,  但boostrap 须多 1pin , 但是. hi-side 最小on duty 才能 boostrap .  chargePump 如果外放电容须多 2pin  

斩空无语

peterlin2010 发表于 2019-7-1 21:29
应该把NMOS 的 GATE 拉上去, 但流大电流还是大的nmos不是 电荷泵 , 类似 boostrap 方式 , dc2dc 如果 是N ...

电荷泵给NMOS的gate供电应该就可以了，你知道怎么取NMOS电流么。

斩空无语

demon0821 发表于 2019-7-2 10:30
电流镜可以做到±8%吧

有电路架构么

ccp106

谢谢分享啊

bluesmaster

谢谢分享啊

peterlin2010

斩空无语 发表于 2019-7-2 09:24
电荷泵给NMOS的gate供电应该就可以了，你知道怎么取NMOS电流么。

你找看看 high side current sensing paper . 一般 high side current 很多判断方式 .    最简单是用 high side nmos rds_on .  简单来说当 high side nmos on , VDS= I * Rds .
high side nmos  VD = VCC , 只是MOS RDS 会随 corner 变化 .

有些LDNMOS 有分 hi-side  low-side . 要 hi-side nmos  source 才能耐住电压 .  LDMOS 也分switch 跟control 用

acging

peterlin2010 发表于 2019-7-11 21:17
你找看看 high side current sensing paper . 一般 high side current 很多判断方式 .    最简单是用 hig ...

LDO管子工作在饱和区，检测rdson这种方法不是用在dcdc这种开关的driver么？

cyingshu

有几个问题想了解清楚:
1. 请问你的LDO其他参数的要求: 输入电压范围, 输出电压和精度, 输出电流范围。
2. 请问你测量电流的目的为了做过电保护吗?3. 你说的精度指的是current limit的精度？