NMOS LDO电流检测电路

cyingshu · 发表于 2019-7-12 09:58:33

本帖最后由 cyingshu 于 2019-7-12 10:11 编辑

peterlin2010 发表于 2019-7-11 21:17
你找看看 high side current sensing paper . 一般 high side current 很多判断方式 . 最简单是用 hig ...

同问不是开关电源才量rds_on吗

peterlin2010 · 发表于 2019-7-13 09:18:53

cyingshu 发表于 2019-7-12 09:58
同问不是开关电源才量rds_on吗

说太快量 rds+on 一般
hi-side buck PWM

如果 LDO 那一般
电阻 + mos finger

斩空无语 · 发表于 2019-7-15 11:34:24

peterlin2010 发表于 2019-7-13 09:18
说太快量 rds+on 一般
hi-side buck PWM

我先在用的是MOS镜像结构，大约±7%精度，可以达到我的要求了。

122013137 · 发表于 2019-7-15 15:04:48

charge pump 的面积就很可观

斩空无语 · 发表于 2019-7-16 09:39:47

122013137 发表于 2019-7-15 15:04
charge pump 的面积就很可观

还没有评估过NMOS+charge和PMOS面积

吕文召 · 发表于 2019-8-8 10:18:21

好人一僧平安

wang.bin · 发表于 2019-8-9 11:58:39

学习了！！！！

chengji1999 · 发表于 2019-8-9 13:37:30

不错，看看

鹅鹅ee · 发表于 2024-4-6 15:27:14

thanks

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