大家做bandgap精度能到多少啊？这样的BGR有优势吗？

fuyibin

大家做bandgap电压基准的精度到多少啊？
一般好像温度系数都弄得不错，到几十或者十几个ppm/c
但是好像很少考虑电压基准的初始精度哦
比如：设计1.23V的基准但是流片出来会变成1.23V +/-20mV或者更多
那么那十几个ppm/c的温度稳定性是否还有意义呢？

大家做bandgap跑工艺角的时候是不是也发现类似的问题，得到三个工艺角下
的三条温度特性曲线离得很远呢？
比如在室温下，FF角：1.25V，TT角：1.23V，SS角：1.21V
这里我要指出的是：这里的工艺角是BJT的工艺角，MOS管的工艺角对bandgap的影响不大，记得有一次，我师姐用CSMC上华0.5的工艺库作bandgap，跑工艺角，还非常好，三条曲线离得非常近，工艺角的影响小于温度的影响，我不信，仔细一看，是跑了MOS管的工艺角，见过国内有论文也这样搞的，根本就不对。
影响初始精度的还有op的失调电压和电流镜的mismatch

我弄了个东西，在不同工艺角下，温度特性曲线可以比较接近，但是温度特性变差了，但是将来所有芯片的偏差应该会有所改善
这个也不是我的课题，平时没事干，在驾校学车，想了个idea，居然还行，原来想写个论文，评奖学金用，初稿写好让导师看了，他语重心长地说不行，要申请专利，结果就改写专利申请书了
也不知道这个东西有没有实际意义，一般那些精度好一点的bandgap都要trimming的
斑竹最好给偶加个精华贴吧，最近没有分了，谢谢啦

fuyibin

目前好多产品的initial accuracy都在0.1%，不过比较贵
不清楚他们具体怎么做的
我猜大概是bipolar/BiCMOS工艺，再配合上laser trimming
模拟这东西，没有工艺支持，搞不好啊

fuyibin

怎么都没人回复啊，做过bandgap的兄弟给指点一下吧
bandgap应该是很通用的module
没有tapeout的经验，痛苦啊

aww

模拟结果和测试结果确实是会差别很大的

fuyibin

如果工艺角，失调失配都考虑到的话
也会有很大差别吗？

protose

差别会非常大的，如果是bipolar工艺做的话还好说，初始精度可以做到＋/－6mV以内，但是如果是cmos的话除非用switch cap电路把OP的失调消除，否则是无论如何都不会达到这个精度的。

fuyibin

我主要针对的是工艺偏差，而失调是芯片内部不对称不匹配引起
我指的工艺偏差是指大批量产时，芯片于芯片间的离散程度
主要是因为
（1）同一个wafer上不同位置的die
（2）同一批次中不同wafer上die
（3）不同批次中的die
工艺稳定会影响bandgap的初始精度
这方面主要关系到器件参数
（1）电阻绝对值的精度 约+/- 20%
（2）pn结电压等
这些其实受工艺决定，比如doping density ,the depth of difussion,
doping profile 等

[ 本帖最后由 fuyibin 于 2007-11-26 14:47 编辑 ]

liana

仿真结果没什么意义，古老的方法都是激光修调，现在一般都是通过一个数字电路调电阻网络
还有一下比如说存储电荷的方法

chan0331

0.35um CMOS的bandgap (Vbe 用PNP 做）
case 1: process:ss avdd=3.0 temp=100
case 2: process:ff avdd=3.6 temp=-40
結果差異不大 1.217 +/- 1mv
OP是self bias 所以沒有bias issue
至於current mirror layout mismatch 因為通常是
designer 自己handle layout. 誤差是會有的. 但不會很大

chudong

为什么ff 和ss corner 都比tt 的时候大呢？不是一般应该介于tt的两边么？
这种情况适合model有关么？不解，希望哪位能解释一下？谢谢啦！！