为什么bip的1/f噪声比mosfet要小？

peter_hawks · 发表于 2007-11-19 14:54:56

the gm of bjt is larger than mosfet

guanguan07 · 发表于 2007-11-20 01:27:44

学习了！！！

moonfull · 发表于 2007-11-25 19:00:29

路过，学习了！

naughtyboy · 发表于 2007-11-25 20:25:00

mosfet 的 poly gate 界面上的晶格缺陷会捕捉，释放电子，产生噪声。特别是低频噪声。Bipolar没有poly gate, 所以要好很多。但 PN 结也有flicker noise. 完全的理论解释flicker nosie, 目前依然是个谜。

noman_dgf · 发表于 2007-11-25 21:01:07

路过，学习了

leonken118 · 发表于 2007-11-26 17:38:08

xie xie

mayfly123 · 发表于 2007-11-27 22:54:41

说PMOS管的1/f噪声要小于NMOS管，也就是PMOS管的载流子运动是比较靠近衬底而相对远离硅和氧化物的界面。

ivan27 · 发表于 2007-11-28 12:09:40

学习了!!!

semico_ljj · 发表于 2007-11-28 21:20:48

可以！说得！

adampippo · 发表于 2012-8-27 19:55:10

the gm of bjt is larger than mosfet
peter_hawks 发表于 2007-11-19 14:54

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K/(Cox*WL)(1/f)(gm)^2
gm越大,1/f噪声越大?
所以不能这么解释这个问题吧

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