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为什么bip的1/f噪声比mosfet要小?

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发表于 2007-11-16 12:49:16 | 显示全部楼层 |阅读模式

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为什么bip的1/f噪声比mosfet要小?
发表于 2007-11-16 19:22:57 | 显示全部楼层
这个不是小不小的问题,而是有没有。

biploar是没有1/f noise的。这是器件的结构决定的,具体你可以去比较他们的结构差异。
发表于 2007-11-16 19:58:32 | 显示全部楼层
BJT是有1/f噪声的,因为这种噪声的产生主要和界面态有关,所以BJT和MOSFET 都有,至于为什么BJT小,我也很想知道
发表于 2007-11-16 21:52:50 | 显示全部楼层
1/f跟表面的状态有关,mos的载流子在表面附近流动,受表面影响比较大
发表于 2007-11-17 12:27:30 | 显示全部楼层


原帖由 zhanglanjun 于 2007-11-16 19:58 发表
BJT是有1/f噪声的,因为这种噪声的产生主要和界面态有关,所以BJT和MOSFET 都有,至于为什么BJT小,我也很想知道



你是对的,我弄错了,bipolar是有1/f 噪声。但确实比较小一些,具体我也不清楚。
发表于 2007-11-17 12:44:22 | 显示全部楼层
学习了,噪声问题好复杂哦
 楼主| 发表于 2007-11-19 13:01:52 | 显示全部楼层
4楼的说法感觉有点道理
 楼主| 发表于 2007-11-19 13:08:23 | 显示全部楼层
Since the 1/f noise is associated with current flowing at the surface of the channel, the
lateral BJT offers a lower 1/f noise input device because the majority of current flows
beneath the surface.
发表于 2007-11-19 13:12:35 | 显示全部楼层
一般在表面的1/f比较厉害,bipolar是纵向结构,电流是垂直流动,横向的长度短;
而mos电流是横向流,横向长度大,所以MOS的1/f比bipolar大
头像被屏蔽
发表于 2007-11-19 13:33:45 | 显示全部楼层
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