关于UMC55nm工艺库器件的几个问题

s橙子s · 发表于 2018-10-16 11:55:00

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最近使用UMC的工艺，发现Application note文档里的关于POLY电阻器件和MOM电容器件有如下说明：

关于电阻部分
问题1：POLY电阻有N型和P型的，这表示着电阻的掺杂不同？
问题2：电阻有2和3两种terminal之分，多出的是B terminal。这是否是指poly电阻是在Nwell或者psubstrate上边制作的
可以将Nwell或者psubstrate通过B terminal来连接到系统电位上来将电阻与衬底的噪声隔离开？
问题3：MOM电容也有第三个terminal：B或者NW，这是否跟POLY电阻的第三个端口作用类似呢？都是用来隔离衬底噪声的？
小弟我是这么理解的。还望数字这个工艺的前辈指点一下

lwq_119 · 发表于 2018-10-17 11:02:32

1.是，掺杂类型不同，方块电阻阻值不同，具体使用看你的需求
2.B端口是电阻的衬底端，这样做比较严格，电阻精度高一点，有的时候电阻的衬底不一定是接到GND的，也有可能是接高电位的。根据电路来定。
3.MOM电容那个B基本都是接地就好了，layout没有外圈的ring，要手工画一个

s橙子s · 发表于 2018-10-17 11:38:07

回复 2# lwq_119

嗯嗯，好的，非常感谢

moszheng · 发表于 2018-10-27 12:07:57

回复 1# s橙子s

Hi，
有第三端的话仿真更准确（具体见模型文件，端口都是带寄生电阻和电容的），当然薄膜类型电阻受此影响较小。
另外衍生出来的好处就是第三端（B）接到安静的电位后肯定会隔离一部分噪声干扰。

s橙子s · 发表于 2018-10-27 19:20:59

回复 4# moszheng

哈哈，好滴好滴，非常感谢

jinnchen001 · 发表于 2020-11-22 08:46:47

楼主，能不能分享一下umc 55nm PDK？小弟正在学习，需要用umc 65/55 工艺。

Analog_2020 · 发表于 2021-1-29 11:49:58

最近也在摸umc65/55LP工艺，请问有电器特性文件吗~有的话可以分享一下吗谢谢！

andy2000a · 发表于 2021-1-29 12:47:21

有些 hr 如果是在 N_well 第三端要接 vdd. 如果接 gnd会出问题 .

l27286 · 发表于 2022-9-15 17:05:53

jinnchen001 发表于 2020-11-22 08:46
楼主，能不能分享一下umc 55nm PDK？小弟正在学习，需要用umc 65/55 工艺。

我也需要，麻烦楼主发一下

peterlin2010 · 发表于 2022-9-16 07:30:21

lwq_119 发表于 2018-10-17 11:02
1.是，掺杂类型不同，方块电阻阻值不同，具体使用看你的需求
2.B端口是电阻的衬底端，这样做比较严格，电阻 ...

other umc bcd process

MOM 有些 symm 对称

还有一种 striple 不知道差异在那?

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