power clamp中ESD-clamping NMOS栅极接的对源PMOS电容有什么用呢？

sunnyliu · 发表于 2017-11-22 16:43:55

NM1应该是可以用高压器件的

wang1991 · 发表于 2018-10-9 19:03:08

最近也在搞ESD的问题，楼主能把文中提到的Ming-Dou和柯大侠的论文贴出来吗？给个名字或者链接也行阿

wang1991 · 发表于 2018-10-9 19:14:13

风中的少年 · 发表于 2020-6-22 14:52:38

wang1991 发表于 2018-10-9 19:14
找到了，看下面这个帖子
http://bbs.eetop.cn/thread-233265-1-1.html

感谢最近也在学习这个

nm2012 · 发表于 2020-6-22 15:29:47

markmarkmark

IC2019 · 发表于 2021-11-18 18:50:02

微风轻行发表于 2017-1-24 10:39
回复 5# rollstone

下面是我的仿真图和电路图，可以看到电容栅极有几十uA的电流。反相器的输入端最多充电 ...

ESD不能这样仿真吧？

shauncc21 · 发表于 2022-8-6 16:56:59

wang1991 发表于 2018-10-9 19:14
找到了，看下面这个帖子
http://bbs.eetop.cn/thread-233265-1-1.html

感谢分享

sunsky2010 · 发表于 2022-10-19 14:50:15

sokiphon 发表于 2017-2-17 08:38
对ESD有全面了解的这个应该是基础。
这个就是GGNMOS的升级，但原理略有不同，这个利用沟道泄放。原理是利用 ...

那考虑到CDM防护的话，那应该用哪些ESD 器件做powerclamp？谢谢！

MZDigital · 发表于 2024-7-11 15:19:59

最近在学ESD，左半边电路应该是静电触发电路，右半边是NMOS放电管接了个PMOS电容。我感觉前辈说的对，这个电容不是作为couple栅电压用的。。。如果为了couple电压直接做个GCNMOS不就好了

IC_go · 发表于 2024-8-4 10:39:22

sokiphon 发表于 2017-2-17 08:38
对ESD有全面了解的这个应该是基础。
这个就是GGNMOS的升级，但原理略有不同，这个利用沟道泄放。原理是利用 ...

10ns不行吧，hbm发生都要上百ns，你时间常数设成10ns，big mos基本不会开。

[求助] power clamp中ESD-clamping NMOS栅极接的对源PMOS电容有什么用呢？