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楼主: zhangtaoqiqi

[求助] DFF漏电问题

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发表于 2016-9-22 10:38:27 | 显示全部楼层
可否贴一下你这个DFF的Layout,还有亮点位置
 楼主| 发表于 2016-9-22 17:36:36 | 显示全部楼层
回复 10# math123


   我们通过一些实验证明,在reset的情况下,仍然存在大小一摸一样的leakage
 楼主| 发表于 2016-9-22 18:01:03 | 显示全部楼层
回复 11# 银色子弹


   谢谢   附件有两张图

    一张是整体的电路图,就是一个异步分频器,漏电大致发生在两级之间的区域(有点像是CLK_IN之后的那两个inv)

    第二张是单个DFF的layout,上面是NMOS,下面是PMOS。绿色部分是亮点出现的地方

    我们用实验证实过,当RB信号为0是,所有DFF处于reset状态,仍然有相同大小的leakage存在

    请帮忙看看,谢谢~
DFF_Schematic.JPG

DFF_Layout.JPG
发表于 2016-9-22 19:08:53 | 显示全部楼层
本帖最后由 math123 于 2016-9-22 19:18 编辑

这种反相器锁存是用足够大的gain,产生了右平面极点,因此阶跃响应无限增大,最后锁定
在gain不够的情况下,实际会处在VDD和GND之间的某个电平,从而不能关断

你仿真下试试,将W/L比不断减少,这种锁存器最终是不能关断的

1.JPG

2.jpg
发表于 2016-9-22 19:14:28 | 显示全部楼层
是fullmask吗,用的什么工艺啊?

你看下是否所有的源漏都打了两个contact,我有点怀疑由于工艺不稳定,这个电阻变得很大
 楼主| 发表于 2016-9-22 19:27:20 | 显示全部楼层
回复 15# math123


   T的工艺,都不止两个contact
   另外,,,我们通过实验看,这些dff被reset了,仍然有leakage
   reset的情况下,latch一定稳定
发表于 2016-9-23 09:20:34 | 显示全部楼层
本帖最后由 math123 于 2016-9-23 09:30 编辑

这只是一种可能性,有想过整个芯片那么多数字门但只dff漏电吗

如果是我说的这种情况,reset是没效果的,因为reset后latch电压又跑到中间去了,

这才是电路的真正平衡点,无论在仿真还是原理上,当然这是工艺的问题
 楼主| 发表于 2016-9-23 21:13:18 | 显示全部楼层
回复 17# math123


   谢谢您的耐心解释。   这里我们的dff reset,一定会破坏原有的latch,使得他输出稳定。

   另一个我没有提的可疑之处是,这些dff在一个gnd pad下方或者旁边。为了省点成本,我们在上面放了一个stack pad...
    不知有无影响
发表于 2016-9-24 08:43:48 | 显示全部楼层
gnd的电位是多少呢
发表于 2016-9-24 09:24:23 | 显示全部楼层
回复 18# zhangtaoqiqi

,测试结果是那种情况啊?

1. RESET信号持续,还是漏电
2. RESET信号持续,不漏电;接着取消RESET信号,又漏电了
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