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查看: 4288|回复: 6

[求助] GSMC eFlash控制器设计

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xiyue_007
发表于 2016-8-25 13:06:54 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 xiyue_007 于 2016-8-25 13:24 编辑

目前基于GSMC的eFlash设计控制器。在eFlash的Datasheet上一些时序要求还不太明白，望高手解答(附件是DS)： GSMC_FLA032K8HDA_DS.pdf (418.35 KB, 下载次数: 268 )


参照DS中第10页的table8和第12页的figure2：
  1. 最小TRC是30ns这个不难理解；
  2. 最大TAA是30ns，且没有标注最小值，怎么理解？是TAA不会不能大于30ns？但没有最小值限制么？
  3. 假设我CEb和OEb保持为低电平，那么假如我是想连续读，即在TRC之后变换另外一个地址，那么第2个有效数据是什么时候有效呢，是受TAA限  制还是仍然受TRC限制，即也要在等一个TRC时间才能采样数据？
  4. 第12页的figure2的Note1中关于CEb的翻转时间也没有，也没有说明这个CEb从低到高再到底的过程中高电平的最短时长是多少？

这个DS对时序的描述不是很详细，麻烦做过的专业人士解答。
eflash, HHGRACE, 控制器

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发表于 2017-3-29 16:44:45 | 显示全部楼层
我最近也在写gsmc的eflashc，有一些问题，不知道能不能请教你
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fanjx
发表于 2018-8-21 17:58:42 | 显示全部楼层
好东西 谢谢
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fanjx
发表于 2018-8-21 17:59:26 | 显示全部楼层
好东西  谢谢
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1234just4fun
发表于 2018-12-19 06:06:49 | 显示全部楼层
谢谢, 谢谢
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wuxin_
发表于 2021-12-1 14:44:25 | 显示全部楼层
学习一下
EETOP创芯人才网职位发布入口
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E.E.T.O.P
发表于 2023-2-27 15:53:29 | 显示全部楼层
就是说如果要读数据，至少要等30ns才能把数据读出来
EETOP创芯人才网简历投递入口
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