|
|
|
马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。
您需要 登录 才可以下载或查看，没有账号？注册
x
本帖最后由 xiyue_007 于 2016-8-25 13:24 编辑
目前基于GSMC的eFlash设计控制器。在eFlash的Datasheet上一些时序要求还不太明白，望高手解答(附件是DS)：
GSMC_FLA032K8HDA_DS.pdf
(418.35 KB, 下载次数: 271 )
参照DS中第10页的table8和第12页的figure2：
1. 最小TRC是30ns这个不难理解；
2. 最大TAA是30ns，且没有标注最小值，怎么理解？是TAA不会不能大于30ns？但没有最小值限制么？
3. 假设我CEb和OEb保持为低电平，那么假如我是想连续读，即在TRC之后变换另外一个地址，那么第2个有效数据是什么时候有效呢，是受TAA限 制还是仍然受TRC限制，即也要在等一个TRC时间才能采样数据？
4. 第12页的figure2的Note1中关于CEb的翻转时间也没有，也没有说明这个CEb从低到高再到底的过程中高电平的最短时长是多少？
这个DS对时序的描述不是很详细，麻烦做过的专业人士解答。 |
|
/1 
eetop公众号
创芯大讲堂
创芯人才网
发表于 2016-8-25 13:06:54
