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查看: 12728|回复: 25

[求助] 静态功耗1.5uA左右的LDO

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发表于 2016-7-18 16:56:23 | 显示全部楼层 |阅读模式

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IMG_20160718_161150.jpg
此为超低静态功耗LDO(1.5uA)中的运放、功率管、电阻反馈、频率补偿电路,保护电路;
不解之处:1、此运放功耗大概0.8u左右,尾电流管倒比为了降低功耗,那串联为什么?还有那个串联的电阻时为了改善CMRR嘛?
              2、频率补偿电路论文上很少见,实在不懂,请大师讲讲或是有什么资料吗?
              3、保护电路,感觉既有短路保护功能又有过流保护功能,但还有说温度保护的,问:到底是什么保护,工作原理;
忘各位大神不吝赐教!
发表于 2016-7-18 20:40:22 | 显示全部楼层
图画错了吧,M8和M9的gate是floating的。。。
 楼主| 发表于 2016-7-18 22:07:58 | 显示全部楼层
回复 2# dda7XaXS

对,M8为二极管接法,疏忽了,多谢提醒,
 楼主| 发表于 2016-7-20 14:48:04 | 显示全部楼层
没有新回复啊,,是不是我问的太多了,
 楼主| 发表于 2016-8-1 10:41:04 | 显示全部楼层
回复 1# Luck-Yang


    dingyixia
 楼主| 发表于 2016-8-4 15:05:01 | 显示全部楼层
回复 1# Luck-Yang


    以上问题对于前馈补偿电路,没有弄明白,有没有大牛提供一下前馈补偿的相关资料啊
发表于 2016-8-11 00:11:44 | 显示全部楼层
前馈补偿搜Ka Nang, Alex LEUNG A capacitor-free CMOS low-Dropout Regulator With Damping-Factor-Control Frequency Compensation
还有这个LDO负载电容多大
发表于 2016-8-11 00:59:29 | 显示全部楼层
大約MP:M10=1000:1,就像current mirror,當MP的電流過大,M10電流也會增大,使R5產生大電壓差大於M11的Vt閾值,使M11導通,再使M8電流增大,M8, M9就像current mirror,結果M9導通大電流使A點電壓往VDD抬高,MP電流就被限縮小了。這就是短路保护功能又有过流保护。
M7當作diode用,溫度過高時M7的Vgs會降低,M8的倒通電流會增加,同樣使A點電壓提高,MP被限流。這就是過溫保護。
发表于 2016-8-11 01:08:52 | 显示全部楼层
為什麼不用long gate length 單一個M5? 而是用M5 M6串聯?
一是為了更小的電流,二是因為MOS model保證準確度之下gate length有所限制,所以單一個M5 gate length無法做太長,所以才會串連兩個。
R1是為了高頻的CMRR,原因讓你自己動動腦。
发表于 2016-8-12 10:20:25 | 显示全部楼层
mark!!!!!
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