求教，关于LDO零极点追踪的频率补偿方式

Xuhf · 发表于 2016-4-5 20:52:17

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

Mz管参数

请问，是否有人用过LDO零极点追踪的频率补偿方式，为什么我添加零极点追踪电路与不添加一点区别都没有？我的CL=200p,RL为13欧姆到16k欧姆，应该如何设置如图所示的Mz、Cz?

Xuhf · 发表于 2016-4-5 20:53:45

回复 1# Xuhf

其中的Vrgb是前级预调整的电压，1.6V

dscd1900 · 发表于 2016-4-5 21:22:03

为什么我添加零极点追踪电路与不添加一点区别都没有？
你需要大概计算了你的主次极点位置，在算你的补偿零极点位置，说到这，就牵扯你需要先确定一些其它的指标，譬如Iq，根据Iq的分配确定你的几个gm值以及ro，ci，以此为初始条件，再计算补偿的pz
每种补偿方法的效用和它引入的位置有关，太大太小都没有效果或者变坏，这都需要你先把整个电路细细算一遍，不能靠猜，靠仿。你的vcc为什么和ea的power分开了，两者是否一样，如果一样，你考虑这种搞法对psrr的影响没有？此外为什么选用这种架构，你的电路需要100dB的增益吗？你这个是三级放大器，你的补偿方式可能远远满足不了要求，增益越大级数越多对你的补偿越不利，这可能需要很大的功耗。你的200p的负载电容对应最大100mA？的负载，瞬态指标是怎么考虑的？你给的信息有限，别人没法多说

Xuhf · 发表于 2016-4-5 22:20:47

回复 3# dscd1900

十分感谢前辈指点

EA与POMS分开供电是因为我前面的带隙基准做了电压预调整，具有较好的PSRR。所以我将Vrgb给EA，增加了EA的PSRR 本来是想将Vrgb给POMS的，但是在预调整那一块已经有了个200mV，而指标要求LDO漏的失电压为200mV，100mA的负载电流，所以我将EA与PMOS分开供电。 200p的负载电容是考虑版图的寄生电容
这个零极点追踪补偿方式我是看一个论文上这么用的，所以想试着做一下。 )KG2ENENJ96BFD{8IG4Q$OD.png

初学者，我很多都不懂，真心感谢前辈

dscd1900 · 发表于 2016-4-5 22:44:24

1，好的ea的psrr不意味着好的ldo的psr，具体参见psr相关论文；
2，vrbg小于vcc，pass管可能关不断
3，负载寄生电容200p，难道是给数字供电，你做的事capless的？是否还有外接电容。两种结构的设计是不一样的。
4，请查看这个动态补偿论文的里的spec和process，这和你的有多区别，确定这个结构是否依然适用
5，做设计前必须定好spec，spec定的越全，对你设计和理解电路越有用

Xuhf · 发表于 2016-4-6 14:20:04

回复 5# dscd1900

首先感谢前辈回答
现在在不考虑环路稳定性上，电流由100uA到120mA的时候都是正常，PMOS栅电压由1.43V到230mV变化，Vrgb为1.6V，EA应该是处于正常工作的。整个结构无片外补偿电容，对于那个负载200p是考虑整个电路版图的寄生电容（至于为什么我也不知道

，导师说应当在200p左右）