在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 2773|回复: 2

[求助] Hspice仿真,漏电流随沟道长度变化问题

[复制链接]
发表于 2016-3-29 15:16:13 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
各位大神,麻烦帮忙回答下问题。我用Hspice仿真一个MOS管,看静态下漏极漏电流的大小变化趋势,以下是MOS管信息。

MNM0 N_VCC_MNM0_d N_VIN_MNM0_g N_VSS_MNM0_s N_SUB_MNM0_b N18 L=1e-06 W=3.4e-07

我对沟道长度从350nm-18um,宽度不变进行仿真,漏源极加了1.8V的偏置电压,栅源极加了0.1V的直流电压,发现漏极电流在350nm沟道长度时是88pA,1um是442pA,2um是528pA,3um是485pA,之后一直减小。
我的问题是:为什么这个漏极电流不是随着沟道长度减小呢?
按照理论,不应该是350nm时,漏极电流最大吗?

请各位大神指导一下。
发表于 2016-3-29 21:30:53 | 显示全部楼层
如果开启之后,L小电流大, 由mobility等等 domain。
但是, Vg=0.1, Vd=1.8, mosfet 还远没开启,电流有好 几部分 组成, channel亚阈值电流, junction电流, gidl电流。第一部分,这个时候由vth domain, vth随L变化比较复杂,不是简单的一次线性。第二部分, 和L没太大关系, 第三部分,这个区域较小。
 楼主| 发表于 2016-3-30 10:51:40 | 显示全部楼层
回复 2# garin_zhang


   谢谢您的回答。我现在就是搞不明白,为什么随着L的由小到大,漏电流会先变大后变小呢。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

×

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-12-23 19:10 , Processed in 0.018226 second(s), 8 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表