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[求助] 请教功耗power和IR drop有什么关系?

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发表于 2016-1-19 22:20:41 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请教功耗power和IR drop有什么关系?具体有哪些书或文档介绍这方面比较详细的啊?
发表于 2016-1-20 11:09:56 | 显示全部楼层
power功耗影响的是芯片power grid的设计
电源网络上的IR DROP分静态动态两种,就是带不带翻转,不过都是与电阻有关
那么power功耗与IR的关系就是:
功耗增加--》引起芯片温度杭生:、
       1.Leakage Power随芯片温度呈指数增加
       2.芯片温度上升会影响电路时序。温度每增加15℃,delay会增加10%~15%
       3.温度增加,EM也会增加,芯片寿命骤减
       4.电阻和温度也有类线性关系,继而影响IR drop,15摄氏度会带来10%电阻阻值的增加
除了上面说的,温度增加还带来了封装散热以及可靠性成本的增加,所以powe功耗是很重要的一项,影响很多方面
发表于 2021-5-12 23:55:47 来自手机 | 显示全部楼层
真棒,谢谢分享
发表于 2021-5-24 09:11:38 | 显示全部楼层
功耗和电流有关系,电流流过电阻就产生压降,也就是IR drop(功耗大,电流大,IR drop大)
发表于 2021-10-4 23:22:19 | 显示全部楼层
了解了!
发表于 2021-10-12 16:39:10 | 显示全部楼层


OLED721 发表于 2021-5-24 09:11
功耗和电流有关系,电流流过电阻就产生压降,也就是IR drop(功耗大,电流大,IR drop大) ...


前辈,可以用什么公式推导吗?功耗大,电流大,IR drop大
发表于 2021-10-12 17:19:28 | 显示全部楼层


xingyun666666 发表于 2021-10-12 16:39
前辈,可以用什么公式推导吗?功耗大,电流大,IR drop大


参考这个   PA基础知识(四)--Redhawk Static IR分析 (qq.com)
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