为什么RC trigger的NMOS不用按照esd画法画版图？

yylei

看了一下别人的设计，电源的ESD结构都是用RC trigger的结构，后面的NMOS和中间的inverter都没用ESD结构，就是没有用RPO层，为什么呢？

albertyin

这个要看RC trigger后的NMOS是设计成MOS沟道放电, 还是snap-back放电, 前者基本不需要ESD rule, 后者需要.
前者的W/L会比较大, 另外前者需要考虑好寄生二极管正向导通时的情况.

chudong

回复 2# albertyin


    楼上能不能讲得再直白一些?沟道放电是否就是利用RC的时间常数造成NMOS的短时间开启进行沟道放电?
snap bak放电是否利用寄生器件导通实现放电?其中snap back指的是什么?不太明白?

albertyin

1. 是的. 沟道放电一般会在RC后加反相器/buffer来驱动MOS的gate.
2. 是的. 下图是Snapback示意图.

kungfu1st

好帖子好帖子

_MR_Z_

stevenzhang2020

电源类芯片一般不允许使用RC trigger设计吧，电源太脏了，有很多的尖峰信号，如果在电源上放RC trigger的ESD，会有很多的误触发

fei_SH

stevenzhang2020 发表于 2023-3-12 20:54
电源类芯片一般不允许使用RC trigger设计吧，电源太脏了，有很多的尖峰信号，如果在电源上放RC trigger的ES ...

是的，RC trigger电路很好用，不过也有很大的限制使用条件。电源类产品更多使用纯R的调节结构。

zay19981227

fei_SH 发表于 2023-3-13 09:01
是的，RC trigger电路很好用，不过也有很大的限制使用条件。电源类产品更多使用纯R的调节结构。
...

你好，我的理解是使用rc+inv+nmos 这种结果正可以让电源上的脉冲放到地上使电源变得干净，不然电源上的noise在芯片内部什么时候可以滤除掉呢？还有就是纯R的电阻调节的结构可以分享一下吗，我看过smic的电阻反馈的rc clamp结果，想看看差异

霍比特美凌格

顶一下，我们正准备用rc+inv+nmos这种结构不知道这种做法有没有问题