为什么RC trigger的NMOS不用按照esd画法画版图？

Andyou · 发表于 2023-6-12 09:43:22

看不懂，感觉都是牛人

fei_SH · 发表于 2023-6-12 17:00:00

zay19981227 发表于 2023-3-28 10:39
你好，我的理解是使用rc+inv+nmos 这种结果正可以让电源上的脉冲放到地上使电源变得干净，不然电源上的no ...

电源尖峰会导致ESD管的沟道开启，从而漏电，甚至触发一些类latchup。

纯R调节的结构就类似GGNMOS，随着R的增加，Vtrigger会逐渐降低,根本上还是用的寄生NPN开启。从TLP上开就是Vt1的调节。在DC下BV是不变的。
和沟道导通的原理是不一样的，所以TLP上也有差异。

zay19981227 · 发表于 2023-6-13 11:17:54

fei_SH 发表于 2023-6-12 17:00
电源尖峰会导致ESD管的沟道开启，从而漏电，甚至触发一些类latchup。

纯R调节的结构就类似GGNMOS，随着R ...

确实，不是电源类的芯片RC trigger确实很好用的，目前还没怎么接触过电源类芯片。

Fengxiy_UniIC · 发表于 2023-6-16 18:28:12

你是什么工艺呢，我竟然督导2015年的帖子，还是没人回答的。多尴尬，我就是为了金币。

Anihacyo · 发表于 2023-11-23 08:06:56

chudong 发表于 2016-1-2 17:41
回复 2# albertyin

利用snapback走电流的话是不是因为电流太大了，普通结构扛不住所以要加ESD注入？然后用snapback放电的话前级RC的取值有啥不一样吗

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