带隙基准电压一定要是1.2V吗?

白玉011 · 发表于 2008-10-23 21:36:07

还在研究中，不过七楼的方法牺牲了很多参数

iamsailing · 发表于 2011-7-16 14:54:25

BUYIDONGDHFOD

潇一 · 发表于 2020-12-8 17:31:25

原来如此

andy2000a · 发表于 2020-12-8 17:40:52

hzfeiyun 发表于 2008-7-18 10:18
查看文献，可以先产生一个低温漂的电流然后产生任意低温漂的电压

Bandap 一般用 Lpnp 做, mos 类则是让 mos进入 subThreshold region 也类速 bjt ..会选 1.18~1.2x 那是不同工艺下跑温飘 .

纯 HR poly 可先找出. 再要求高会 N_well + HR poly让电阻影响更低些 .

其它就高接补

要做 1.65v 你就产生 1.2v用 OPA 推 + TRIM. 去得到 1.65v

这样做可 Trim ..

不需管OP BANDGAP内 OFFSET , 直接 TRIM vref . 不过需 CP1CP2 ,

另一类做 trimless bandgap 应该有专利 .

Bandgap 准电压 ,PTAT 电流要做不受温飘影响电流不太好弄. 一般都是

得到温飘低 VBG .

如果说要先产温飘低电流 * 电阻, 那不如直接产生 VBG

另一个问题, vbg 可低到多低?? Mos current mirror 或 BJT 1:8.

如果 , 1ua 内 bjt电流以很小

2 做法 , 一个压低电流.

另一个是正常工作电流用 on/off 去拉长 OFF 休息时间降低电流 .

DRV8301 · 发表于 2023-8-18 17:38:45

andy2000a 发表于 2020-12-8 17:40
Bandap 一般用 Lpnp 做, mos 类则是让 mos进入 subThreshold region 也类速 bjt ..会选 1.18~1.2x 那是 ...

学习

jeffej · 发表于 2023-12-29 20:09:24

real voltage depend on process

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