带隙基准电压一定要是1.2V吗?

kunshouzzy · 发表于 2007-5-18 01:07:50

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带隙基准电压一定要是1.2V吗?怎么有的仿真得到1.25V,1.28V,1.19V,和bjt的模型关系大不大啊?
请教一下牛人!!!

semico_ljj · 发表于 2007-5-18 12:03:12

当然不是，可以1.18~1.25V之间，看需要了
还有其他的设计方法使基准电压<1V，如0.9V或0.6V等

yangfunc · 发表于 2007-5-18 19:41:33

一般来说是和bjt的模型参数有关Vout=Vgo+2.2Vt.Vgo就是参数设置的禁带宽度,Vt约为26mV,这样不同的Vgo就有不同的基准电压

yazai113 · 发表于 2007-5-18 21:29:04

bandgap reference 有mos和bjt的两种

对于BJT的，，，一般要考虑他的温度补偿
如：

Vref=x*Vbe+y*VT

依据你的电路以及温票近0。可以得到X,和y，，从而得到你的想要设计的Vref。

当然要获得低的Vref， x可为1，y一般根据温票为0由电阻比例与BJT的e极面积比确定，。

yazai113 · 发表于 2007-5-18 22:46:24

bandgap reference 有mos和bjt的两种

对于BJT的，，，一般要考虑他的温度补偿
如：

Vref=x*Vbe+y*VT

依据你的电路以及温票近0。可以得到X,和y，，从而得到你的想要设计的Vref。

当然要获得低的Vref， x可为1，y一般根据温票为0由电阻比例与BJT的e极面积比确定，。

lynker · 发表于 2008-7-18 09:52:36

想做1.65V的基准，怎么做？

hzfeiyun · 发表于 2008-7-18 10:18:55

原帖由 lynker 于 2008-7-18 09:52 发表

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想做1.65V的基准，怎么做？

查看文献，可以先产生一个低温漂的电流然后产生任意低温漂的电压

lynker · 发表于 2008-7-23 08:54:59

原帖由 hzfeiyun 于 2008-7-18 10:18 发表

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查看文献，可以先产生一个低温漂的电流然后产生任意低温漂的电压

谢谢7楼的帮助!

phase2000 · 发表于 2008-7-23 09:47:24

7 lou 正解,我就是这么做的

astasio · 发表于 2008-8-4 18:55:15

i think negative volge cofficient generate add positive voltage generate

can become so called band gap ,so not exactly 1.2volt

带隙基准电压一定要是1.2V吗?

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