求教NMOS衬底接负电位时的导通问题

wenlin102003 · 发表于 2012-7-23 15:07:21

低压管的话d to b肯定击穿了

CDS · 发表于 2012-7-24 08:24:12

1. 衬底接负压，会导致VT增大，更不容易导通。看一下体偏效应就知道了。
2. 你的工艺是几V的，衬低接-15V，是否会导致栅到体的击穿或源漏到体的击穿？这是个问题。你现在的VGB=15V，VSB=15V，VDB=20V，在其它情况是不是会有比这个更高的电压出现，耐压是否够？

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