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求教NMOS衬底接负电位时的导通问题

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发表于 2007-1-7 23:45:27 | 显示全部楼层
MS已经击穿了吧
IC里有这么用的吗
发表于 2007-1-12 09:53:45 | 显示全部楼层
不导通,因为管子的栅源电压小于阈值电压
发表于 2007-1-14 20:07:11 | 显示全部楼层
栅漏至少要一个开启电压才能导通,不过是特殊管的话例外
发表于 2007-1-14 20:36:54 | 显示全部楼层
会不会是耗尽型的管子?
发表于 2007-1-17 10:30:54 | 显示全部楼层
如果是一般的CMOS工艺的NMOS管的话,很可能已经快到达漏衬击穿电压了!
发表于 2007-1-17 16:16:56 | 显示全部楼层
20v的漏衬反偏电压 管子很有可能被击穿
LZ 你确定你漏端接的是5v而不是-5v?
发表于 2007-1-18 14:41:02 | 显示全部楼层
不能导通,还会有体效应,
发表于 2007-1-18 21:21:18 | 显示全部楼层
栅极和源极接在一起, MOSFET处于截止状态!
发表于 2007-1-21 00:48:46 | 显示全部楼层
发表于 2012-7-18 09:18:31 | 显示全部楼层
为了急于占领市场,昨天记者了解到,诺基亚宣布其最高端产品Lumia900在美价格下调一半,不过这款产品在中国市场的售价暂不会受到影响。
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