标准CMOS工艺各个区的掺杂浓度分别是多少

hondgen · 发表于 2015-5-20 21:57:46

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在标准N阱CMOS工艺中衬底、阱区，n有源区、p有源区的掺杂浓度分别是多少？不同制程的会有不同吗，比如0.13um和0.35um的大概是多少？想知道NMOS和PMOS的漏、栅、源及衬底的掺杂浓度。该在哪里查，在pdk里面没有看到。谢谢！

nareshreddy · 发表于 2015-7-21 22:11:20

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fmyanglee · 发表于 2015-7-31 18:29:03

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