标准CMOS工艺下各个区域的掺杂浓度是多少

hondgen · 发表于 2015-5-20 21:53:04

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在标准N阱CMOS工艺中衬底、阱区，n有源区、p有源区的掺杂浓度分别是多少？不同制程的会有不同吗，比如0.13um和0.35um的大概是多少？想知道NMOS和PMOS的漏、栅、源及衬底的掺杂浓度。该在哪里查，在pdk里面没有看到。谢谢！

lxy_h · 发表于 2016-1-28 10:51:29

回复 1# hondgen

同问！楼主知道答案了吗？

hondgen · 发表于 2016-1-29 11:25:11

回复 2# lxy_h

不知道，只看到工艺书中提到是差三个数量级

6275849@qq.com · 发表于 2016-3-14 14:20:03

同问，有谁知道吗？

dayikimo · 发表于 2016-3-15 14:20:30

這是各家Foundries才會知道的資料, 不可能提供給Design House的, 就算有, 也只是粗略的, 詳細的資料是機密, 一般如有提供粗略的會放在process flow項目中

drwujianhao · 发表于 2023-6-23 06:11:22

这都是商业机密。


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