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楼主: 何平

[求助] 带隙基准电压中的运放设计

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 楼主| 发表于 2015-1-23 09:15:29 | 显示全部楼层
回复 8# lwjee


    我用的就是28nm工艺的,好像有点理解了,谢谢回复
 楼主| 发表于 2015-1-23 09:31:23 | 显示全部楼层
回复 10# lwjee


    谢谢您的回复,还有一个问题我不是很理解,就是上面电路图中的输入差分PMOS管,为什么要设置fingers=16,m=2呢,总宽为16u,这样fingers宽为1u,这个时候PMOS长为1u,fingers宽与PMOS长都为1u相等,是不是就是你说的最好的版图匹配呢?
m=2等效为总宽加倍为32u,可不可以直接用一个宽为32u的管子而令m=1,这两种情况有什么不同吗?  谢谢
发表于 2015-1-23 11:20:20 | 显示全部楼层
真不错。
发表于 2015-1-23 15:22:57 | 显示全部楼层
回复 12# 何平


   poly的最大面积也有限制。
发表于 2016-8-24 17:43:52 | 显示全部楼层
个人理解:
这种self cascode的结构一般用在深亚微米的OP中,用来提高输出阻抗,从而提高增益。
原因:在深亚微米中,L比较小,输出阻抗也比较小,故采用上述结构
发表于 2016-8-24 19:56:44 | 显示全部楼层
版图匹配好一点吧
发表于 2017-4-16 14:37:06 | 显示全部楼层
谢谢分享!
发表于 2017-4-16 21:35:03 | 显示全部楼层
学习学习
发表于 2019-3-20 11:14:23 | 显示全部楼层
这个是为了增加长,因为在版图当中L有最大值,而且poly的单块面积不能太大,以免产生天线效应,而且这样做版图也能更好匹配
发表于 2019-3-20 11:15:24 | 显示全部楼层
在滞回比较器中也会有这种结构
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