在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
12
返回列表 发新帖
楼主: 胖大海1991

[求助] 多晶硅也分N+掺杂和P+掺杂吗

[复制链接]
发表于 2022-11-17 10:58:04 | 显示全部楼层
多晶掺杂不一样影响功函数,从而影响VTH。一般NMOS是N Poly, PMOS P poly
发表于 2022-12-6 09:29:42 | 显示全部楼层
楼上说的对,NMOS的gate要打成N poly,P的要打成P poly,这个过程一般的N+/P+ implant会完成,有些会做gate的 pre-doping,至于反相器的N+,P+的界面会形成PN junction,这个没有关系,因为gate都是salicide的,salicide里就不存在PN junction了。
发表于 2023-3-28 11:10:24 | 显示全部楼层
感谢分享
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

×

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-12-23 08:02 , Processed in 0.014534 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表