emmi分析

hehuachangkai · 发表于 2014-12-18 18:49:54

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1、如果有100uA的电流流入正向导通pn结，在此管子上观察到hot spot，是否正常？如果该pn结击穿了，或者说P端和N端的pin短接了，即pn结上的压降基本上为零了，那仍然灌入100uA的电流，相当于电流源电流出来后，通过该短路的超低组管子流到了地，那在该管子上还能观察到hot spot吗？2、hot spot ，顾名思义为高发热点，如果管子的寄生pn结击穿了，阻抗就相当的低，那这里发热量岂不是很小，是不是就观察不到hot spot了？

现在在分析外灌电流的那个pin，和其他pin发生短路的情况。

GodofSun · 发表于 2014-12-18 20:15:16

我理解为emmi能照出来的都是反向击穿的pn结电流。

孙园杰 · 发表于 2014-12-18 21:12:34

我也是这么理解的。
一般只有工作在反偏状态下的PN结(被击穿)和工作在饱和区的mos管的电流可以看到。
工作在线性区的管子，就算有大电流也看不到。

回复 2# GodofSun

hezb · 发表于 2014-12-18 21:14:18

学习一下emmi分析

zh_xiaoju · 发表于 2014-12-24 23:17:55

100u应该看不到热点吧

hehuachangkai · 发表于 2014-12-26 10:50:02

多谢，观察到hot spot了，原因是ISO管子没有做NW隔离，两个pin通过同型PW和P+AA高低结连接在了一起。即100uA电流流过高低结时，观察到了hot spot。根据可以得到以下推论，求辩论：这两个pin相邻很近，故外灌的100uA电流只通过了这两个pin，而此两个pin之间存在的为PW和P+AA高低结，阻抗很低，故猜测，只要有稍微大点的电流流过半导体，就能够观察到hot spot，若旁边都没有大电流流过的情况下，对比度就很明显了。

GodofSun · 发表于 2014-12-26 11:30:47

没听懂，有个剖面图就好了。

stone_bird · 发表于 2015-1-5 18:12:06

回复 2# GodofSun

如果栅氧发生击穿，能看到发光点吗？谢谢！

GodofSun · 发表于 2015-1-5 19:41:20

回复 GodofSun

如果栅氧发生击穿，能看到发光点吗？谢谢！
stone_bird 发表于 2015-1-5 18:12

登录/注册后可看大图

这种情况没遇到过，不知道。我一直理解为是pn结之间的反向击穿。

stone_bird · 发表于 2015-1-5 20:27:41

回复 10# GodofSun

哦，PN结击穿的话主要是发生在ESD保护管上吗？还是说内部电路也会存在，个人感觉发生在内部的概率会很小？反而对于数模混合芯片来说，数字电压域和模拟电压域的接口处的栅氧是个薄弱点，如果这个位置发生击穿的话，就你的了解，EMMI能不能照出来。谢谢指教。

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