emmi分析

GodofSun

回复  GodofSun

哦，PN结击穿的话主要是发生在ESD保护管上吗？还是说内部电路也会存在，个人感觉发生在 ...
stone_bird 发表于 2015-1-5 20:27

                               
登录/注册后可看大图

如果做power，内部经常会有zener管，正常工作时通过EMMI就能看到pn结击穿，或者内部有高压器件错画为低压rule，也能通过EMMI看出来，但是目前SOC上很少出现上述情况，而你所说的栅氧因为耐压不够导致的击穿，我不是很确定EMMI分析能否看到，建议你咨询失效分析专业人士，他们对于EMMI成像的原理会更清楚。

stone_bird

回复 12# GodofSun

非常感谢，另外分享一下我找到的资料：侦测的到亮点之情况：

                               
登录/注册后可看大图

会产生亮点的缺陷 - Junction Leakage; Contact spiking; Hot electrons; Latch-Up; Gate oxide defects / Leakage(F-N current); Poly-silicon filaments; Substrate damage; Mechanical damage及Junction Avalanche等。

                               
登录/注册后可看大图

原来就会有的亮点 - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse biased diodes(break down) 等。

侦测不到亮点之情况：

                               
登录/注册后可看大图

不会出现亮点的故障 - Ohmic short及Metal short。

                               
登录/注册后可看大图

亮点被遮蔽之情况 - Buried Junctions及Leakage sites under metal。


里面有提到栅氧的损伤 ，但是栅氧损伤存在电子和空穴的复合吗？这个对我来说还不是很理解。特别是它还提到Mechanical damage，这个也不理解。继续扒点资料。

GodofSun

回复  GodofSun

非常感谢，另外分享一下我找到的资料：侦测的到亮点之情况：
会产生亮点的缺陷 - Junc ...
stone_bird 发表于 2015-1-5 21:03

                               
登录/注册后可看大图

非常感谢，又涨见识了。

hehuachangkai

回复 13# stone_bird


   很好的资料哈。这种总结性的结论都是宝啊，非常感谢。   栅氧击穿，栅和衬底/阱直接短在一起，当然有大电流，故而也自然能观察到hot spot吧。不一定是复合，有大电流流过，根据I2（平方）R    可知，电阻小时，只要电流足够大也是能够观察到hot spot的。