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[求助] 低寄生电容ESD器件设计

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发表于 2014-12-9 10:13:09 | 显示全部楼层 |阅读模式

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有没有大神知道关于低寄生电容ESD器件设计的优点,以及它的大概原理的呀。急求呀,拜托了。。
发表于 2014-12-25 16:33:18 | 显示全部楼层
tongqiu tongqiu ...
发表于 2015-1-5 19:38:48 | 显示全部楼层
尽量减小面积      并把电容成分串联
发表于 2015-1-16 12:25:53 | 显示全部楼层
ESD性能也会随之下降吧
发表于 2015-1-16 21:02:33 | 显示全部楼层
需要用到全芯片的概念,找ker的论文仔细研究。
发表于 2015-3-11 17:29:11 | 显示全部楼层
举个简单例子:
用MOS做保护器件时, 用环形gate, 减小drain面积.
发表于 2015-3-21 10:45:46 | 显示全部楼层
一般ESD寄生电容是多少呢?
发表于 2015-3-21 16:47:03 | 显示全部楼层
用MOS管的话, pf级.
高频信号往往要求在几十ff级.
发表于 2015-7-16 17:21:54 | 显示全部楼层
小结电容的ESD产品,一直都是有难度的.
发表于 2015-10-13 13:24:19 | 显示全部楼层
回复 1# 钱玲莉


要看要通过的ESD电压为多少KV. 如果,寄生电容在1pF 以下,使用CMOS 工艺的话,只能使用NMOS, 而且,设计正确下,应该没有办法达到1KV以上
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