低寄生电容ESD器件设计

DOONPENG007 · 发表于 2015-10-16 21:56:26

楼主需要做片上集成还是？主要是看应用的场合，高频需要小于1pf，同时看ESD的结构，使用的工艺。
ESD有很多参数相互的影响，单单看一个指标是没有意义的。
应用场合对ESD的要求是需要综合考虑的。
感兴趣可以加我QQ聊：2592863112

DOONPENG007 · 发表于 2015-10-16 22:04:49

需要考虑全局，应用场合对抗ESD电压、电容等性能指标的要求，单纯的考虑电容是没有意义的。当然低电容的器件在高频的应用场合可以发挥巨大的作用。有兴趣加QQ聊聊：2592863112

seedcloud · 发表于 2015-10-19 22:22:20

应该要用SCR结构吧, 这个对工艺要很熟悉,一般工艺厂是没有现成结构的,要自己尝试.

Elliott · 发表于 2016-1-5 01:49:35

需用Thyristor做, SCR就是Thyristor其中一種, 但也需要考量trigger voltage不能過高, 會打壞受保護器件的MOS gate oxide; 另外也需要考量holding voltage不可低於standoff voltage or working voltage, 否則會容易出現latch up現象。

Elliott · 发表于 2016-1-5 23:29:31

Elliott · 发表于 2016-1-5 23:30:24

回复 15# Elliott

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