Gate driven 结构的RC常数是怎么确定的？

tq0010c · 发表于 2014-9-29 16:13:28

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看到有些Paper中说RC常数在0.1~1 us范围，请问下这是怎么得出来的呢？

enian · 发表于 2014-9-30 23:22:51

需要这么久才能把esd能量泄放完
比如你的大mos 打开后能过多少电流那么对于确定的比如2kv hbm 有多少电荷需要泄放计算即可
1us是经验值

tq0010c · 发表于 2014-10-1 00:09:19

回复 2# enian

谢谢，请问有具体介绍的资料可以分享吗

enian · 发表于 2014-10-2 01:16:42

本帖最后由 enian 于 2014-10-2 01:18 编辑

坛子里多得是不是我不发是实在很多我再发没必要啊
柯明道 A Wang， voldman 这几个货写的书的都可以看
很多论文的背景介绍或者学位论文里都会有
主要是这个小问题就这么点已经说完了啊呵呵
你要看别的问题就从学位论文入手（容易）然后根据需要再去找

ss221146 · 发表于 2014-10-16 23:44:52

回复 2# enian 小白有一点不明白，ESD大脉冲能量瞬间就来了（比如100ns），在将近1us的时间里它就等着被泄放而不去攻击别的小兵吗？

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