一个关于low power关断设计的问题

ljjbunny · 发表于 2014-9-28 15:22:58

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lib里面提供了两种power gate，一种是它自带tap，连到常开电源，用这种的话关断区域也需要使用连到常开电源的tapcell，这样会用掉一些绕线资源，还有一种是不带tap的power gate，这样我就可以自己加tapcell ，让它连到关断电源上而不占用绕线资源，但是不知道这种方法有什么缺点？

ljjbunny · 发表于 2014-9-28 15:40:58

为什么每次问问题都没人回答我

icfbicfb · 发表于 2014-9-28 21:57:02

要我肯定用带tap的， pg一般都自带tap的，啥工艺啥库

ljjbunny · 发表于 2014-9-29 08:51:40

回复 3# icfbicfb

gf28 的，关断区域没有常开电源，只有power gate上有，power gate是每隔200um才加一竖条，但是tap是要求116um加一个，因此如果用带tap的power gate，那么所有的tap都必须连到常开电源，lib有一种连到常开的tap是有3个pin的，是要工具绕线才能连到常开

yahemao123 · 发表于 2014-9-29 09:38:39

回复 4# ljjbunny

为什么所有的tap都要连接到常开的电源呢

lik0604 · 发表于 2014-9-29 09:58:04

回复 5# yahemao123

因为power gate的nw是连到常开的，你关断区域不连常开就有sconnect
刚仔细看了下文档，有个地方写了power gate的nw必须连到常开上，那关断区域也要画常开的power了

yahemao123 · 发表于 2014-9-29 10:47:37

本帖最后由 yahemao123 于 2014-9-29 11:36 编辑

回复 6# lik0604

他们的well是连到一起的么

ljjbunny · 发表于 2014-9-29 17:05:23

回复 7# yahemao123

是的

yahemao123 · 发表于 2014-9-29 17:07:51

回复 8# ljjbunny

哦，好吧，那就不知道了，我做的gf28是分开的

icfbicfb · 发表于 2014-9-30 07:08:42

gf28的库应该是arm的吧，

power switch的nwell通常是分开的（tsmc的库)，即3段，左边和右边的和关断区的stdcell nwell相连接，
中间一个是pmos自己的nwell，通常是常开的，因为要实现控制作用，
关断区的nwell在关断的时候无所谓tap与否了，除非要retention，iso，aon，都接自己独立的nwell，
和关断区nwell保持1um以上的间距，

arm的库没玩过，各个结构不一样的，

你200um打一条strap，太稀疏了吧，纵向间距多少，一般power switch array阵列和tapcell差不多的，
不会查太远，

至于常开nwell的tapcell 主要是用于retention区域的偏置，或那种nwell不分开的区域，
如果是nwell分开，不需要这种单元的

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