MOS晶体管的沟道热噪声

何平 · 发表于 2014-9-25 02:46:22

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拉扎维的书上介绍了工作在饱和区的MOS管的沟道热噪声，其电流功率谱等于4KT r gm,那请问工作在线性区的MOS管的沟道热噪声电流功率谱密度公式也是这样的公式吗，是不是公式不一样了？？还是其他的，因为线性区的MOS管相当于一个电阻，难道用电阻的热噪声公式：4KTR？？
求解答不胜感激！！！！！

zaelste · 发表于 2014-9-25 08:38:36

回复 1# 何平

线性区, 饱和区不一样, 而且短沟道,长沟道也不一样, 建议看一下附件,会稍微了解一些. NOISE MODEL 大家碰得比较少, 但是越来越重要, 我们这边有专门负责研究NOISE测量和建模的.

zaelste · 发表于 2014-9-25 08:39:27

噪声特性-1.pdf (495.52 KB, 下载次数: 1951 )

victor0o0 · 发表于 2014-9-25 10:01:22

Noise特性看BSIM的mannual就好了
SPICE2 channel noise model：4kT*gamma*(gm+gmbs+gds)，和工作区域无关

real_man · 发表于 2014-9-25 10:42:08

回复 3# zaelste

了解下

enian · 发表于 2014-10-1 02:50:29

围观啊

nwpupind · 发表于 2014-11-3 14:50:26

这个是讲怎么计算噪声，从线性区的管子为模型。

Johnson2011 · 发表于 2014-11-3 16:06:37

要研究MOSFET的噪声，就要对噪声的产生原理有一些了解。MOSFET的具体产生原理还没有定论，但是一般可以分为两种：沟道热噪声和1/f噪声。
然后，为了对不同器件的噪声进行比对，需要把噪声等效到输入端，而后形成了信噪比的概念。
再后，为了拟合上一级输出阻抗的大小不同，等效到输入端就有了等效电压和等效电流。
当然这些都不重要；不论器件工作在什么区域，噪声的原理不会变，噪声的公式模型不会变，变的只是公式内参数的量。比如4kT*（gamma）/gm，短沟道和长沟道（gamma）不懂，线性区和饱和区的gm不同。仅此而已

uestc_cjh · 发表于 2014-12-12 15:52:29

haodongxi xizaikankan

macro_man · 发表于 2015-4-24 09:31:59

顶一下

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