MOS晶体管的沟道热噪声

残桥挂月 · 发表于 2015-7-23 21:25:08

顶一下

tanei · 发表于 2015-10-3 14:05:26

写谢谢ixieie

terminats · 发表于 2015-10-3 19:11:28

这个非常好啊

cutebingle · 发表于 2015-10-6 09:58:44

是在深线性区才能等效为电阻也就是vds远小于2倍vgs-vth

刘小新 · 发表于 2016-5-4 21:11:07

谢谢分享！！

HMXW · 发表于 2016-5-12 15:51:17

顶一个，受用了

小冬瓜 · 发表于 2016-7-26 09:01:11

kankan看看

byd306 · 发表于 2016-12-2 09:32:04

要研究MOSFET的噪声，就要对噪声的产生原理有一些了解。MOSFET的具体产生原理还没有定论，但是一般可以分为两种：沟道热噪声和1/f噪声。
然后，为了对不同器件的噪声进行比对，需要把噪声等效到输入端，而后形成了信噪比的概念。
再后，为了拟合上一级输出阻抗的大小不同，等效到输入端就有了等效电压和等效电流。
当然这些都不重要；不论器件工作在什么区域，噪声的原理不会变，噪声的公式模型不会变，变的只是公式内参数的量。比如4kT*（gamma）/gm，短沟道和长沟道（gamma）不懂，线性区和饱和区的gm不同。仅此而已

409风 · 发表于 2017-1-8 10:33:13

回复 3# zaelste

多谢楼主！

秦时明月2016 · 发表于 2017-3-14 13:58:50

目前正在看噪声，谢谢分享

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