想请教一下射频模块中对LDO指标有什么要求

lion_cube

我打算给1G的VCO做一个LDO，初学水平有限，就只用了一个折叠式共源共栅放大器和功率级接成了反馈，仿真的时候用ac仿的开环性能，GBW将近100M增益100dB，相位裕度90度。然后和VCO接在一起仿真之后发现了这样的波形：
LDO的输出电压随着VCO电压有轻微的震荡，但我仿相噪发现这样噪声性能不仅没有变差，好像还有轻微的提升。
现在有几个疑惑：
1.一个是这样的现象是否是正常的？如果不正常的话，LDO的指标应该设计成什么样子才能避免这种问题？

2.应用到高频和低频电路时，LDO结构上需要做什么改变么？或者说在这两种情况时，LDO的性能指标需要有什么区别嘛？
之前没仿闭环特性是因为不太会仿哈~希望也能请教一下你们闭环应该怎么仿真~


非常感谢大家的帮助！

liuycto

个人认为带宽太宽了；

Vdsat

可以接负载电容吗？

lion_cube

回复 2# liuycto

GBW不需要这么大是么？这个GBW应该多大是根据什么确定的呀？

lion_cube

回复 3# Vdsat


   输出端有一个1nF的电容，我也不确定这个电容应该多大~

自学成菜

回复 5# lion_cube


既然可以外接，那就一直加，加到输出的波动满足你的要求

lwjee

首先LDO输出的震荡是和VCO同频率吗，如果是加CAP,但是片外cap没什么用；如果不是那就是LDO稳定性有问题了。

lion_cube

回复 7# lwjee


   是同频率~不过没太明白你说的片上和片外电容的区别，用片外电容不是因为片上不能用太大的电容所以才用片外电容么？

lwjee

回复 8# lion_cube


   片外电容离VCO太远了，还要经过PAD的寄生电阻和电感。

aqishisi

同频率说明是VCO影响了LDO，是不会影响VCO的性能的。