SMIC55LL的varactor会漏电？

buckaroo · 发表于 2014-8-5 10:34:16

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SMIC55LL下，给varactor的直流bias voltage前加一个很大的RC filtering来滤除偏置电路的噪声，那么在仿真synthesizer lock的时候，可以看到lock后，这个直流bias点会持续下降（因为漏电，并且前面的RC filtering中的R太大来不及补充）！只有把这个RC filtering去掉，才能补充电流不会导致直流bias点电压下降。有人碰到过吗？个人觉得是因为varactor的model烂导致（还是process本身烂？），用tsmc的同等工艺就不会出现这样的情况

lwjee · 发表于 2014-8-5 17:42:34

会漏，要相信model

fuyibin · 发表于 2014-8-5 18:07:35

thin oxide当然会有gate leakage

buckaroo · 发表于 2014-8-5 21:13:09

thin oxide当然会有gate leakage
fuyibin 发表于 2014-8-5 18:07

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问题是我换成IO的依然漏电啊，奔溃，大概率是model的问题

buckaroo · 发表于 2014-8-5 21:14:14

thin oxide当然会有gate leakage
fuyibin 发表于 2014-8-5 18:07

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而且是常温，还不是125C

buckaroo · 发表于 2014-8-5 21:17:20

会漏，要相信model
lwjee 发表于 2014-8-5 17:42

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而且是漏得莫名其妙要说是普通的core device到地漏也就算了，我把VCO varactor周围其他device都用analogLib的理想device（没有漏电！），只有varactor用真实device，结果varactor bias voltage那点依然漏电导致电压下降，tnnd，这电流都往哪流，连路径都没有，varactor又只有两端，另一端电压比漏电这端电压还高，难道它隐藏了第三端，从这隐藏的第三端漏走了，靠

skymid · 发表于 2014-8-6 12:43:16

漏电是存在的，40nm工艺下，漏电已经很厉害了

lwjee · 发表于 2014-8-6 14:33:05

回复 6# buckaroo

仿真有问题吗

peterlin2010 · 发表于 2014-8-6 17:24:55

varactor model 有含漏电 , 那一般 mos 40nm 會有含 gate thin oxide leakage ?

因為一般 model gate leakage , selfheating 好像沒有 .

uitce2011 · 发表于 2020-11-1 18:08:42

thanks for sharing this information.

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