MOSFET在脉冲高电压下，其栅氧化层会被击穿吗？

semi_bamboo · 发表于 2014-7-16 20:02:37

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我想问问各位，如果正常工作电压最高为5V的PMOS MOSFET，如果在其S端加10V电压，G端接GND
,这样持续时间2us左右（相当于VSG=10V高电平，2us脉宽的脉冲加在栅氧化层上），MOSFET的薄栅氧化层会被击穿吗？
欢迎各位踊跃讨论

kelvin0803 · 发表于 2014-7-18 17:16:37

路过学习

math123 · 发表于 2014-7-27 06:34:33

假如10V已接近5V栅氧的击穿电压，ESD时候几十ns内就可以损坏栅氧，那么相信这个2us脉冲就算不损坏栅氧应该也会降低其寿命了

crazyboy · 发表于 2014-7-27 15:37:06

2us的脉冲stress在Gate oxide上，问题不大，一般5V的管子，gate oxide BV起码有15V以上吧。但如果是长期这样的话，对管子寿命肯定会有影响。

semi_bamboo · 发表于 2014-7-28 16:18:19

回复 4# crazyboy

right！
后来看了MOSFET的工艺参数，tox=13nm，其栅氧承压至少可以达到13V

semi_bamboo · 发表于 2014-7-28 16:19:34

回复 5# semi_bamboo

所以，问题解决了，当然承压也要看具体工艺，
谢谢大家的参与。

enian · 发表于 2014-9-30 23:53:46

那这个氧化层还是比较厚的

[求助] MOSFET在脉冲高电压下，其栅氧化层会被击穿吗？