MOSFET在脉冲高电压下，其栅氧化层会被击穿吗？

semi_bamboo · 发表于 2014-7-16 20:01:43

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

我想问问各位，如果正常工作电压最高为5V的PMOS MOSFET，如果在其S端加10V电压，G端接GND
,这样持续时间2us左右（相当于VSG=10V高电平，2us脉宽的脉冲加在栅氧化层上），MOSFET的薄栅氧化层会被击穿吗？
欢迎各位踊跃讨论

sjzdzzgc · 发表于 2014-7-18 11:10:28

2us应该不会被击穿，但是讨论这的意义何在呢

semi_bamboo · 发表于 2014-7-21 14:33:18

芯片有些漏电流，找不到能自圆其说的地方，
而且打ESD时导致漏电

kfwzf · 发表于 2014-7-29 21:39:57

这个就主要看你管子的栅氧的厚度和源漏的击穿电压大小了！
5V PMOS，应该是0.5um工艺了，一般情况下该工艺节点的栅氧厚度为12.5nm左右，击穿电压在12～18V，因此造成栅氧击穿的概率不大。
另外需要问一下，你的PMOS除了S端加10V电压，G端接地外，其它管教如何连接呢？如果是D端和体区都接地，也会造成snapback放电啊，即使没有出现快返特性，也会造成体区和D端的雪崩击穿的。
希望对你有帮助！