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查看: 17379|回复: 19

[求助] power EM 和signal EM分别怎么修啊

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发表于 2014-5-22 10:40:13 | 显示全部楼层 |阅读模式

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谢谢
另外,看到有文档说signal EM可以在net中插buffer,什么原理?
发表于 2014-5-23 09:57:08 | 显示全部楼层
wire不够宽电流密度过大会导致EM,所以power ring/strap 可以加宽,或者加power pad; signal线的话就打断插buffer。个人意见仅供参考~
发表于 2014-5-23 10:25:19 | 显示全部楼层
加宽线即可,
 楼主| 发表于 2014-5-23 14:10:17 | 显示全部楼层




    为什么打断插buffer能修EM?
发表于 2014-5-23 14:35:53 | 显示全部楼层
同文:为什么打断插buffer能修EM?

点评

应该是本来的driver load比较大,trans比较差 所以该driver和driver后面的net就产生比较大的电流,插buffer可以改善trans ,进而改善电流和em问题  发表于 2022-5-11 17:44
发表于 2015-4-10 19:00:29 | 显示全部楼层
信号线的电迁移有时又称为导线自热,是由于互连线上信号的高速变化对电容的不断充放电而引起的。当脉冲通过导线时,导线本身的功耗将使导线温度超过氧化层温度。氧化层和导线之间的温度差异会产生机械应力,最终使导线断裂。低K值的电介质热传导性差,机械强度低,因此用其制作的导线自热问题将更为严重。导线自热问题由来已久,但在0.25微米及其以下工艺必须采用智能化程度更高的设计工具来解决导线自热问题,否则芯片将无法工作。
发表于 2015-4-11 08:23:55 | 显示全部楼层
理论很好,但实际care em的情况很少,我至少在28nm以上的设计很少看到人去修em,
发表于 2015-4-16 08:49:58 | 显示全部楼层
My guess is to break the wire by inserting buffer is to allow single driver has less load to drive, so the capacitance being charge/discharged can be less and produce less self-heating.
发表于 2015-5-7 09:21:18 | 显示全部楼层


My guess is to break the wire by inserting buffer is to allow single driver has less load to drive,  ...
saywhite 发表于 2015-4-16 08:49




   agree
发表于 2015-5-7 10:34:37 | 显示全部楼层
回复 8# saywhite


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