工艺选择问题

silverpuma · 发表于 2014-4-2 10:26:49

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输入电压5V~24V，芯片内部有一个LDO，把电源电压降低到2.1V。现在用2.1V的电源，要做一个-3dB带宽要>=50MHz，DC GAIN=40dB左右的运放，用点几的BCD工艺可以实现？？？用MOS管还是BJT比较容易实现?

谢谢先！

fuyibin · 发表于 2014-4-2 10:38:04

输入电压5V~24V，芯片内部有一个LDO，把电源电压降低到2.1V。现在用2.1V的电源，要做一个-3dB带宽要>=50MHz ...
silverpuma 发表于 2014-4-2 10:26

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dc gain>40dB, -3dB bandwidth>50MHz ---> unit gain bandwidth>5GHz
要找一个这样的工艺估计够呛吧
关键是5V~24V，还是要高压工艺才能tolerate，或者是1um，2um的工艺

hszgl · 发表于 2014-4-2 11:00:04

0.25的bcd试试？
5v的输入，为啥LDO一定要降到2.1？提高的3.3可能会容易些。。

jiang_shuguo · 发表于 2014-4-2 11:02:54

确定-3dB为50MHz，有点搞笑把。

hszgl · 发表于 2014-4-2 11:38:21

回复 4# jiang_shuguo

我去。。我居然没仔细看。。。楼主要5G的GBW想干嘛？

silverpuma · 发表于 2014-4-2 12:08:37

回复 4# jiang_shuguo

26MHz的频率点直流增益不能变化，考虑工艺的偏差，那我的-3dB带宽应该放在哪个频率点上面？

silverpuma · 发表于 2014-4-2 12:14:10

回复 2# fuyibin

嗯，所以我考虑有没有这样的工艺，如果不行的话，我就只能改参数了，先上来咨询下高人。不行的话我只能把直流增益给降低了。。。20dB的话，GBW=500MHz，有可能么？

silverpuma · 发表于 2014-4-2 12:16:23

回复 3# hszgl

参数随着工艺会变化的，工艺不行的话，那就只能改参数嘛。5GHz好像是太大了点。。。。。

hszgl · 发表于 2014-4-2 12:27:48

本帖最后由 hszgl 于 2014-4-2 12:30 编辑

回复 6# silverpuma

你做的是什么？总线接口电路？

silverpuma · 发表于 2014-4-2 12:54:31

回复 9# hszgl

26M的微弱信号放大器，增益太小的后级不好处理啊。

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